[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种MEMS器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有对第一波长光源感光的第一光刻胶层；

步骤S2：在所述第一光刻胶层上形成对第二波长光源感光的第二光刻胶层，以覆盖所述第一光刻胶层；

步骤S3：不增加光罩，选用所述第一波长光源对所述第一光刻胶层曝光，接着选用所述第二波长光源对所述第二光刻胶层曝光；

步骤S4：对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层显影，以在所述第一光刻胶层中形成第一图案，在所述第二光刻胶层中形成第二图案，其中所述第二图案的尺寸大于所述第一图案的尺寸；

步骤S5：对所述第一图案和所述第二图案进行加热回流，以得到圆弧形台阶图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，对所述第一图案和所述第二图案进行加热回流，以使所述第二图案回流并包围所述第一图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一波长光源选用365nm；

所述第二波长光源选用248nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中还包括对所述第一光刻胶层进行前烘的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中还包括对所述第二光刻胶层进行前烘的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，对所述第一光刻胶层曝光时，选用所述第一波长光源并调节光刻条件，以使最佳胶面位于所述第一光刻胶层的上表面。

7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，对所述第一光刻胶层曝光时，加大曝光能量，以使显影后得到的所述第一图案的尺寸小于实际设计图形尺寸。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，对所述第二光刻胶层曝光时，调节光刻条件，以达到所述第二光刻胶层的最佳曝光条件，使显影后得到的所述第二图案的尺寸满足设计图形尺寸的要求。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中，在所述显影之后还进一步包括对所述第一图案和所述第二图案进行后烘的步骤。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述圆弧形台阶图案不满足设计图形的要求，则改变所述步骤S1中所述第一光刻胶层的厚度和/或所述步骤S4中所述第一图案的线宽，并重复步骤S2-S5至符合要求为止。

11.一种基于权利要求1至10之一所述方法制备得到的MEMS器件。

12.一种电子装置，包括权利要求11所述的MEMS器件。