[发明专利]闪存单元及闪存装置

权利要求书

1.一种闪存单元，包括：

衬底；

位于衬底上的第一介质层；

位于第一介质层上、具有多个浮栅的浮栅层；

所述多个浮栅中相邻浮栅间的隔离层；

位于浮栅层上的第二介质层；

位于包含第一介质层/浮栅层/第二介质层的三层堆叠结构上的控制栅层；

包裹第一介质层/浮栅层/第二介质层/控制栅层的四层堆叠结构的外介质层；以及

位于所述三层堆叠结构两侧的源区和漏区。

2.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：所述多个浮栅中的每个为条状。

3.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：

所述隔离层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

4.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：所述闪存单元还包括场氧化区。

5.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：在源区和漏区之间形成沟道区，所述多个浮栅中的每个浮栅以及每个隔离层平行于所述沟道区。

6.一种闪存装置,其特征在于，包括根据权利要求1-5中任一个所述的闪存单元。