[发明专利]一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置有效
| 申请号： | 201410558331.7 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN104264217B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王钢;李健;范冰丰 | 申请（专利权）人： | 佛山市中山大学研究院 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C23C16/18 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司44302 | 代理人： | 顿海舟,陈业胜 |
| 地址： | 528222 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体 外延 mocvd 反应 装置 | ||
1.一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置，所述反应装置为腔体结构，包括进气口、反应室和排气通道，所述反应室下方设有可轴向旋转的衬底承载座，衬底承载座底部设有加热装置，其特征在于，所述反应室上方设有顶盖，所述进气口竖向贯穿于所述顶盖，所述反应室的侧壁向内凹陷形成内凹环形结构，所述内凹环形结构从反应室上下两端向中间的曲率逐渐增大；所述衬底承载座的外径小于所述腔体结构的内径，所述衬底承载座侧壁与所述腔体结构内壁之间的距离为15-25mm，衬底承载座与腔体结构内壁之间的空隙形成为所述排气通道，排气通道与反应室连通；衬底承载座的侧壁与其上边沿的连接处呈倒圆角结构，所述倒圆角结构与腔体结构的内壁形成Y形漏斗结构，所述Y形漏斗结构的中心轴线与水平面之间的夹角范围为30°-50°。
2.根据权利要求1所述的MOCVD反应装置，其特征在于，所述进气口包括相互间隔排列在顶盖上的MO源进气口和氧源进气口。
3.根据权利要求2所述的MOCVD反应装置，其特征在于，所述氧源进气口呈倒漏斗状，所述MO源进气口为条缝状进气口。
4.根据权利要求3所述的MOCVD反应装置，其特征在于，还包括与所述氧源进气口和MO源进气口连接的质量流量控制计。
5.根据权利要求1所述的MOCVD反应装置，其特征在于，所述排气通道的底部为带通孔的底板，所述通孔均匀分布在所述底板上。
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