[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

权利要求书

1.一种等离子处理装置，对保持在具备框架和保持片的搬运载体的基板进行等离子处理，

所述离子处理装置具备：

腔室，其有能减压的内部空间；

工艺气体提供单元，其对所述内部空间提供工艺气体；

减压单元，其对所述内部空间进行减压；

等离子产生单元，其使所述内部空间产生等离子；

机台，其设于所述腔室内，具备载置所述搬运载体的电极部；

实质平坦的平坦部，其设置在所述电极部中的、隔着所述保持片载置所述基板的区域即第1区域的表面；

第1非平坦部，其设置在所述电极部中的第2区域，在表面至少具有1个向从所述搬运载体远离的朝向凹陷的凹部，所述第2区域至少包含隔着所述保持片载置所述框架的区域、和所述基板与所述框架间的配置所述保持片的区域；和

第1传热气体提供部，其向在所述第1非平坦部与所述搬运载体间划定的第1微小空间提供传热气体。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

所述等离子处理装置还具备：

冷却部，其冷却所述电极部。

3.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其中，

所述等离子处理装置还具备盖，

所述盖具有：

主体，其覆盖载置于所述电极部的所述搬运载体的所述保持片和所述框架；和

窗部，其在厚度方向上贯通所述主体而形成，来使保持在载置于所述电极部的所述搬运载体的所述基板在所述内部空间露出，

所述盖能与所述机台接合分离。

4.根据权利要求3所述的等离子处理装置，其中，

所述等离子处理装置还具备：

第2非平坦部，其设于所述电极部中的、包含所述盖与所述电极部相接的区域的第3区域，至少具有1个向从所述搬运载体远离的朝向凹陷的凹部；和

第2传热气体提供部，其向在所述第2非平坦部与所述盖间划定的第2微小空间提供所述传热气体。

5.根据权利要求3或4所述的等离子处理装置，其中，

所述等离子处理装置还具备：

第1静电吸附电极，其内置于所述电极部中的所述第1区域。

6.根据权利要求5所述的等离子处理装置，其中，

所述等离子处理装置还具备：

第2静电吸附电极，其内置于所述电极部中的所述第2区域。

7.根据权利要求6所述的等离子处理装置，其中，

所述第2静电吸附电极延伸到所述盖与所述电极部相接的区域。

8.根据权利要求6所述的等离子处理装置，其中，

所述等离子处理装置还具备：

夹紧机构，其对所述机台按压所述盖。

9.根据权利要求5所述的等离子处理装置，其中，

对所述第1静电吸附电极施加直流电压。

10.根据权利要求5所述的等离子处理装置，其中，

对所述第1静电吸附电极施加在直流电压上叠加高频电压而得到的电压。

11.根据权利要求6所述的等离子处理装置，其中，

所述第1静电吸附电极是单极型，所述第2静电吸附电极是双极型。

12.根据权利要求6所述的等离子处理装置，其中，

所述第1静电吸附电极和所述第2静电吸附电极都是单极型。

13.一种等离子处理方法，是保持在具备框架和保持片的搬运载体的基板的等离子处理方法，

将保持所述基板的所述搬运载体搬入到等离子处理装置的腔室内，隔着所述保持片在电极部的表面中的实质平坦的平坦部载置所述基板，在电极部的所述表面中的至少具有1个凹部的非平坦部，隔着所述保持片载置所述框架，并载置所述基板与所述框架间的所述保持片，

对在所述非平坦部与所述搬运载体间划定的第1微小空间提供传热气体，并使所述腔室内产生等离子，从而对所述基板施予等离子处理。