[发明专利]一种液晶薄膜的制备方法及所制得的液晶薄膜、圆偏振片

权利要求书

1.一种液晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将小分子向列相液晶、液晶性光可聚合单体、手性添加剂按比例混合，制得胆甾相液晶；

所得胆甾相液晶与近晶相液晶性光可聚合单体按比例混合，再加入光引发剂，制得具有胆甾相-扭曲晶界相相转变的液晶复合体系；

向所得液晶复合体系中加入纳米粒子，混合均匀；

对得到的混合体系施加电压，再经紫外光辐照，可聚合单体发生聚合，形成所述液晶薄膜。

2.根据权利要求1所述的液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述小分子向列相液晶、液晶性光可聚合单体、手性添加剂质量比为(30-80)：(20-70)：(0-20)。

3.根据权利要求1所述的液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述液晶复合体系具有胆甾相-扭曲晶界相的相转变特性。

4.根据权利要求1所述的液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述胆甾相液晶、近晶相液晶、光引发剂质量比为(20-80)：(10-75)：(0.5-5)。

5.根据权利要求1或4所述的液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述近晶相液晶为光可聚合的近晶相液晶单体或者不可聚合的近晶相液晶。

6.根据权利要求1或4所述的液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述光引发剂选自过氧化二苯甲酰、过氧化十二酰、偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈、过氧化二碳酸二异丙酯或过氧化二碳酸二环己酯中的一种或两种以上。

7.根据权利要求1所述的液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述纳米粒子选自粒径为15-70nm的ZnS、BaTiO₃、Fe₃O₄中的一种或两种以上。

8.根据权利要求1或7所述的液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述纳米粒子添加量为液晶复合体系质量的0.1％-10％。

9.根据权利要求1所述的液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述电压为220V，电压频率为500HZ-10000HZ，电压施加时间为7-15min。

10.根据权利要求1所述的液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述紫外光辐照条件为紫外光波长为365nm，光强为0.001-100mW/cm²，辐照时间为5-240min。

11.一种由权利要求1-10任一所述制备方法得到的液晶薄膜。

12.一种圆偏振片，其特征在于，包括有权利要求11所述的液晶薄膜。