[发明专利]压电摩擦电复合式振动能量采集器在审

专利信息
申请号: 201410554667.6 申请日: 2014-10-17
公开(公告)号: CN104320018A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 杨斌;朱雁博;刘景全;陈翔;杨春生 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H02N2/18 分类号: H02N2/18;H02N1/04
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 徐红银;郭国中
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 压电 摩擦 电复 合式 振动 能量 采集
【说明书】:

技术领域

发明涉及的是一种能源技术领域的装置,尤其涉及的是一种压电摩擦电复合式振动能量采集器。

背景技术

近年来,随着微机电系统MEMS(Micro-Electro-Mechanical System微机电系统)技术的不断发展,使得微传感器和微型电子设备等微型系统的应用范围不断扩大,广泛应用于军事、医学、物联网等领域。由于这些设备是便携式的,其电源的性能和质量成了目前大多数MEMS应用的关键所在。因此人们拟采用能量采集技术解决上述问题。

能量采集(Energy Harvesting),就是一种利用能量采集器从其周围环境中获取能量的技术。其实质是利用光伏、热电、压电、电磁等物理和化学效应把器件周围环境中广泛存在的光能、热能、机械能、风能等能量转换为可以使用的电能。使用MEMS技术制备的能量采集器具有如下的主要特点:1)使用便携2)节省能源3)能量管理方便。

但是目前广泛集成制备的MEMS压电式振动能量采集器,还难以完全满足微传感器和微电子器件应用的需求:一方面,其所获得的输出电能功率密度还较低;另一方面,压电式非常依赖于所使用的压电材料的压电性能,目前应用范围较广的材料是PZT(锆钛酸铅)陶瓷材料,这种材料的压电性能较为优异,但是含有铅对环境有害。

经过对技术文献的检索发现,文献号:J.Micromech.Microeng.18(2008)055017(7pp),Dongna Shen,Jung-Hyun Park等人提出了一种MEMS PZT cantilever for vibration energy harvesting(MEMS工艺制备的用于采集能量的锆钛酸铅悬臂梁)。该技术利用MEMS工艺制作成一个硅悬臂梁式的能量采集器,具有较高的能量输出。但是共振频率在460Hz左右,不符合环境振动的频率范围,且利用了PZT(锆钛酸铅)陶瓷材料,对环境有污染。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提出一种基于PVDF(聚偏二氟乙烯)和PDMS(聚二甲基硅氧烷)和碳纳米管材料的压电摩擦电复合式振动能量采集器,使换能原件能在周围环境下获得较大的输出功率,以解决传统MEMS压电能量采集器输出功率低和能量转化效率低等问题。

本发明通过以下技术方案实现,本发明包括:PVDF薄膜、带凸块的PDMS活动层、带凸块的掺杂碳纳米管PDMS电极;所述PVDF薄膜具有上下金属电极,且具有压电效应;带凸块的PDMS活动层表面密布直径15~100微米的小凸块,形成粗糙表面;带凸块的掺杂碳纳米管的PDMS电极表面密布直径15~100微米的小凸块,形成粗糙表面;PVDF薄膜设置于带凸块的PDMS活动层的上表面,带凸块的PDMS活动层和带凸块的掺杂碳纳米管的PDMS电极固定在一起。

优选地,所述的PVDF薄膜的厚度为15~30微米,具有上下金属电极。在该厚度范围的PVDF振动时压电输出性能最优。

优选地,所述的带凸块的PDMS活动层是由PDMS浇注成型,具有密布凸块的粗糙表面提高接触摩擦和摩擦电输出。

优选地,所述的带凸块的掺杂碳纳米管PDMS电极是由PDMS和碳纳米管掺杂混合物固化形成的薄膜导电体,具有良好的导电性和柔韧性,作为接触摩擦时的电子提供层。

与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:

本发明上PDMS活动层在承受外界压力时会发生形变,从而与下PDMS碳纳米管电极产生接触摩擦形成电压,利用摩擦生电机制实现了机械能向电能的转换。PVDF薄膜在振动时,发生应变产生压电效应,将一部分机械能量转换为电能。本发明能使MEMS换能器件不但结构简单,制作容易,体积减小,有较高的能量转换效率。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所做的描述,本发明的其他特征、目的和优点将变得更明显:

图1是本发明一较优实施例的结构示意图

图2是本发明一较优实施例在振动源的作用下发生向下弯曲的示意图

图3是本发明一较优实施例在撤销振动源恢复初始形状的示意图

图中:PVDF薄膜1、带凸块的PDMS活动层2、带凸块的掺杂碳纳米管PDMS电极3。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

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