[发明专利]一种用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的夹具及方法有效
| 申请号: | 201410554393.0 | 申请日: | 2014-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN104362123B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
| 发明(设计)人: | 王进;马子腾;许延峰 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 266555 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 去除 方形 基片光 刻蚀 过程 边缘 夹具 方法 | ||
1.一种用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的夹具,其特征在于,包括涂胶机、活动挡板、挡板支架、旋转平台、去胶滴管;
所述旋转平台顶部固定基片,所述旋转平台底部与涂胶机相连,所述挡板支架与旋转平台轴相连接;
所述活动挡板位于基片上方并固定在挡板支架上,活动挡板宽度尺寸较基片尺寸小;
所述去胶滴管位于活动挡板上方。
2.权利要求1所述的用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的夹具,其特征在于,所述活动挡板位于基片上方,通过挡板支架上加垫垫片调节与基片的距离,使活动挡板与基片距离在0.2mm-0.4mm范围内。
3.权利要求1所述的用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的夹具,其特征在于,所述活动挡板宽度尺寸较基片尺寸少2-4mm,并居中放置在基片上方。
4.一种用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤101,提供一涂胶的方形基片;
步骤102,把基片吸附在涂胶机旋转平台上方;
步骤103,在基片上方覆盖活动挡板;
步骤104,滴去胶液同时转动旋转平台去胶;
步骤105,旋转基片90度,再次盖上活动挡板;
步骤106,滴去胶液同时转动旋转平台去胶;
步骤107,移除活动挡板取下基片。
5.权利要求4所述的用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的方法,其特征在于,所述基片材料为纯度99.6%以上的氧化铝基片或纯度98%的氮化铝基片或石英薄膜电路常用基片,基片的厚度范围为:0.1mm~0.65mm。
6.权利要求4所述的用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的方法,其特征在于,所述步骤102中,采用真空吸附把基片固定在旋转平台上。
7.权利要求4所述的用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的方法,其特征在于,所述步骤103中,在方形基片上方覆盖一矩形活动挡板,活动挡板的宽度尺寸比基片小2-4mm,居中放置,并用螺母固定在活动挡板支架上,并通过垫片调整与基片的距离,使活动挡板与基片的距离在0.2-0.4mm范围内。
8.权利要求4所述的用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的方法,其特征在于,所述步骤104具体为,在活动挡板和基片上方喷淋去胶液,同时通过马达带动旋转平台,使落在基片上的去胶液在离心力的作用下带走基片边缘的光刻胶,去除基片AC两边边缘堆胶。
9.权利要求4所述的用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的方法,其特征在于,所述步骤105具体为,移去活动挡板,去除真空吸附,取下基片,旋转基片90度,再次吸附基片,加上活动挡板。
10.权利要求4所述的用于去除方形基片光刻蚀过程中边缘堆胶的方法,其特征在于:所述步骤106具体为,在活动挡板和基片上方喷淋去胶液,同时通过马达带动旋转平台,使落在基片上的去胶液在离心力的作用下带走基片边缘的光刻胶,去除基片BD两边边缘堆胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





