[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成包含氮化物的第一栅极绝缘层

在所述第一栅极绝缘层上形成包含氧化物的第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层的表面上进行氧自由基处理；

在所述氧自由基处理之后在所述第二栅极绝缘层上形成第一半导体层；

对所述第一半导体层加热；

在所述加热之后在所述第一半导体层上形成第二半导体层；

在所述第二半导体层上形成绝缘膜，

其中：

所述第一半导体层包括氧过剩氧化物半导体膜；以及

所述第二半导体层包括氧缺少氧化物半导体膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，进一步包括：

在所述第二半导体层上形成源电极层和漏电极层，

其中，所述第二栅极绝缘层和所述第一半导体层在不暴露于空气的条件下连续地形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜包括包含氧化物的第一层和包含氮化物的第二层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述氧自由基处理采用臭氧进行。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二半导体层具有比所述第一半导体层低的氧浓度。

6.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一半导体层、所述第二半导体层、以及所述源电极层和漏电极层采用溅射方法形成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层各自包含铟、镓以及锌。

8.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层的表面上进行氧自由基处理；

在所述氧自由基处理之后在所述栅极绝缘层上形成第一半导体层；

对所述第一半导体层加热；

在所述加热之后在所述第一半导体层上形成第二半导体层；以及

在所述第二半导体层上形成绝缘膜，

其中：

所述第一半导体层包括氧过剩氧化物半导体膜，以及

所述第二半导体层包括氧缺少氧化物半导体膜。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，进一步包括：

在所述第二半导体层上形成源电极层和漏电极层，

其中，所述栅极绝缘层和所述第一半导体层在不暴露于空气的条件下连续地形成。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜包括包含氧化物的第一层和包含氮化物的第二层。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述氧自由基处理采用臭氧进行。

12.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层各自包含铟、镓以及锌。

13.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层包括选自氧化硅、氧化铝、氧化镁、氮化铝、以及氧化钇的材料。

14.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层包括硅和氧。

15.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层中的氢浓度为2×1019cm-3以下。