[发明专利]一种背接触太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背接触太阳电池，其特征在于：包括晶体硅片（1）、设置在晶体硅片（1）正面的栅线结构（2）以及设置在晶体硅片（1）背面的穿孔电极（3），所述穿孔电极（3）贯穿晶体硅片（1），并与栅线结构（2）连接。

2.根据权利要求1所述的一种背接触太阳电池，其特征在于：所述栅线结构（2）包括多组十字主栅线和若干条细栅线，每条细栅线围成一个“口”字形，每条细栅线至少与一组十字主栅线相交。

3.根据权利要求2所述的一种背接触太阳电池，其特征在于：所述穿孔电极（3）连接在每组十字主栅线的中心处。

4.根据权利要求2所述的一种背接触太阳电池，其特征在于：所述十字主栅线的宽度为60~150μm，细栅线的宽度为30~90μm。

5.一种制备权利要求1~4任一项所述的一种背接触太阳电池的方法，包括以下步骤：

（1）用激光器在晶体硅片上打孔，孔的直径为50μm~2000μm；

（2）对打孔后的晶体硅片进行前清洗与制绒，去除硅片表面和孔洞内的损伤层，同时将晶体硅片的正面制成绒面；

（3）在上述硅衬底沉积掺杂源并进行单面或双面扩散制备p-n结；

（4）后清洗：用硝酸、氢氟酸和水的混合溶液清洗背结，采用盐酸、氢氟酸和水的混合溶液清洗磷硅玻璃；

（5）在晶体硅片的正面蒸镀减反膜；

（6）制备穿孔电极；

（7）丝网印刷背面电场；

（8）丝网印刷栅线结构；

（9）烧结或者退火以形成良好的欧姆接触。

6.根据权利要求5所述的一种制备背接触太阳电池的方法，其特征在于：所述步骤（1）中孔的形状为圆形或方形或三角形或菱形。

7.根据权利要求5所述的一种制备背接触太阳电池的方法，其特征在于：所述步骤（3）中的掺杂源为含磷、或硼、或铝、或锑、或镓等Ⅲ族或Ⅴ族掺杂剂的化合物或混合物。

8.根据权利要求5所述的一种制备背接触太阳电池的方法，其特征在于：所述步骤（3）中淀积掺杂源的方式为喷涂或印刷或气态源扩散。

9.根据权利要求5所述的一种制备背接触太阳电池的方法，其特征在于：所述步骤（5）中的减反膜为氮化硅薄膜或TiO₂薄膜或Al₂O₃薄膜或SiNxCy薄膜或SiNxOy薄膜。

10.根据权利要求5所述的一种制备背接触太阳电池的方法，其特征在于：所述步骤（6）采用丝网印刷或真空蒸发或溅射或电镀来制备。