[发明专利]氮化物半导体结构有效
| 申请号： | 201410552714.3 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105280770B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 宣融;胡智威;詹益仁 | 申请（专利权）人： | 嘉晶电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物半导体 复合缓冲层 成核层 碳化硅 氮化物半导体层 衬底 半导体结构 氮化铝 | ||
1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
碳化硅成核层，位于所述衬底上；
复合缓冲层，位于所述碳化硅成核层上；以及
氮化物半导体层，位于所述复合缓冲层上，
其中所述氮化物半导体结构为无氮化铝的半导体结构，其中所述复合缓冲层包括第一缓冲层以及第二缓冲层，所述第一缓冲层接触所述碳化硅成核层，其中所述第一缓冲层包括AlxGaN层，其中0<x<1。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述第二缓冲层包括相互交叠的多个AlyGa1-yN层以及多个AlzGa1-zN层，其中0<y<1，0<z<1且y不等于z。
3.根据权利要求2所述的氮化物半导体结构，其特征在于，x>(y+z)/2。
4.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述第二缓冲层包括氮化铝镓块体层。
5.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述第二缓冲层包括铝含量阶梯渐变的氮化铝镓渐变层。
6.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述第二缓冲层包括铝含量连续渐变的氮化铝镓渐变层。
7.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述复合缓冲层还包括第三缓冲层，所述第三缓冲层位于所述氮化物半导体层与所述第二缓冲层之间。
8.根据权利要求7所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述第三缓冲层包括碳化硅层。
9.根据权利要求7所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述第三缓冲层包括相互交叠的多个碳化硅层与多个氮化镓层。
10.根据权利要求7所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述第三缓冲层的厚度介于5纳米至100纳米之间。
11.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述碳化硅成核层为立方晶系。
12.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述碳化硅成核层的厚度介于50纳米至3000纳米之间。
13.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度介于0.1微米至3微米之间。
14.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述第二缓冲层的厚度介于0.1微米至3微米之间。
15.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述第一缓冲层以及所述第二缓冲层的厚度总合介于0.2微米至4微米之间。
16.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述衬底的材料包括硅、氧化铝或玻璃。
17.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述衬底为图案化衬底。
18.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述氮化物半导体层的厚度介于1微米至8微米之间。
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