[发明专利]一种晶圆刻蚀工艺

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆刻蚀工艺。

背景技术

刻蚀工艺是半导体技术中一个重要的环节，随着半导体技术的不断发展， 刻蚀技术也有了很大的发展。在大规模集成电路的制造中，刻蚀工艺主要分为 湿法刻蚀和干法刻蚀两大类。但是，传统刻蚀工艺存在如下不足：一、各向异 性差，横向腐蚀使得刻蚀剖面呈半圆弧形，不仅使图形剖面发生变化，而且稍 有过刻蚀时剖面会产生虚线，致使薄膜上图形的线宽比原抗腐蚀剂膜上形成的 线宽小。二、选择性差，必须采用专门的刻蚀终点监测，而且刻蚀效率低下。

发明内容

本发明的目的在于通过一种晶圆刻蚀工艺，来解决以上背景技术部分提到 的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种晶圆刻蚀工艺，其包括如下步骤：

S101、分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子；

S102、扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面；

S103、表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞；

S104、反应：与柜表面的膜层发生RIE反应；

S105、解吸：RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面；

S106、排放：排放反应腔。

特别地，所述步骤S101中的等离子体选用纯CF₄。

本发明提出的晶圆刻蚀工艺可以进行精确控制，提高了刻蚀的各向异性特 性，通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双从作用刻蚀，选择性也较好。

附图说明

图1为本发明实施例提供的晶圆刻蚀工艺流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可以理解的是，此处所描 述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明 的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

请参照图1所示，图1为本发明实施例提供的晶圆刻蚀工艺流程图。

晶圆刻蚀前的准备工作：将晶圆直接放在下电极上，腔室内有中性电极以 增大有效积，以此可增大从等离子体到电极电压差和离子撞机的能量。本实施 例中晶圆刻蚀工艺具体包括如下步骤：

S101、分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子。在本实施例 中所述等离子体选用纯CF₄。

S102、扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面。

S103、表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞。

S104、反应：与柜表面的膜层发生RIE反应。

S105、解吸：RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面。

S106、排放：排放反应腔。

本发明的技术方案可以进行精确控制，提高了刻蚀的各向异性特性，通过 活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双从作用刻蚀，选择性也较好。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员 会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进 行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽 然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以 上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例， 而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。