[发明专利]一种焊垫结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201410548585.0 申请日: 2014-10-16
公开(公告)号: CN105575927A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 何明;郭炜;王潇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种焊垫结构,其特征在于,包括:

互连金属层、位于所述互连金属层上的层间介电层以及位于所述 层间介电层中的若干顶部通孔,其中所述互连金属层分为焊垫区域和 非焊垫区域;

在所述层间介电层中形成有暴露位于所述焊垫区域的所述互连 金属层的第一开口;

在所述层间介电层的表面上和所述第一开口的侧壁和底部形成 有顶部金属层,位于所述第一开口底部的顶部金属层与所述互连金属 层相接触组成叠层结构,共同作为焊垫;

在所述顶部金属层的上方形成有具有第二开口的钝化层,所述第 二开口暴露所述焊垫。

2.根据权利要求1所述的焊垫结构,其特征在于,在所述互连 金属层的下方还形成有若干互连金属层和通孔交替组成的叠层。

3.根据权利要求1所述的焊垫结构,其特征在于,位于所述非 焊垫区域的所述顶部金属层通过所述若干顶部通孔与下方的所述互 连金属层相电连接。

4.根据权利要求1所述的焊垫结构,其特征在于,所述顶部金 属层的材料选用金属铝或铜铝合金。

5.根据权利要求1所述的焊垫结构,其特征在于,所述第二开 口呈上宽下窄形状。

6.根据权利要求1所述的焊垫结构,其特征在于,所述第二开 口的宽度为所述焊垫宽度的1~2倍。

7.根据权利要求1所述的焊垫结构,其特征在于,所述钝化层 选自PESIN层、PETEOS层、SiN层和TEOS层中的一种或者多种。

8.根据权利要求1所述的焊垫结构,其特征在于,所述顶部通 孔为钨栓塞。

9.根据权利要求1所述的焊垫结构,其特征在于,所述焊垫结 构适用于CMOS图像传感器。

10.一种焊垫结构的制作方法,包括:

提供具有若干互连金属层形成的叠层,相邻所述互连金属层之间 具有通孔,所述若干互连金属层至少包含一互连金属层,其中所述互 连金属层分为焊垫区域和非焊垫区域;

在所述互连金属层上形成层间介电层,在对应所述非焊垫区域的 所述层间介电层中形成若干顶部通孔;

在对应所述焊垫区域的所述层间介电层内形成暴露所述互连金 属层的第一开口;

在所述层间介电层的表面和所述第一开口的侧壁和底部形成顶 部金属层,并图案化所述顶部金属层,其中,位于所述第一开口底部 的所述顶部金属层与所述互连金属层相接触组成叠层结构,共同作为 焊垫;

在所述顶部金属层上形成钝化层,蚀刻部分所述钝化层形成暴露 所述焊垫的第二开口。

11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述第二 开口呈上宽下窄形状。

12.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述第二 开口的宽度为所述焊垫宽度的1~2倍。

13.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述蚀刻 具有钝化层对所述顶部金属层高的选择蚀刻比。

14.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述顶部 金属层的材料选用金属铝或铜铝合金。

15.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,适用于 CMOS图像传感器的焊垫结构的制作。

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