[发明专利]利用发光二极管单片阵列来提供高分辨率图像的系统和方法在审
申请号: | 201410546737.3 | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN104298078A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | N·克哈里德 | 申请(专利权)人: | 4233999加拿大股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H05B37/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 曹瑾 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 发光二极管 单片 阵列 提供 高分辨率 图像 系统 方法 | ||
1.一种提供高分辨率图像的方法,该方法包括以下步骤:
设置可单独寻址的发光二极管的阵列,该阵列由晶片制造;
确定每一个发光二极管的光强;
利用所确定的每一个发光二极管的光强来控制发光二极管发射,以在感光器上形成高分辨率图像;其中,使用支承体(612a,612b)在感光器(620)上方支撑包含透镜(604)的成像构件(602)和外壳(606),优选的,透镜是单一复杂透镜。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述控制发光二极管发射包括:
基于测量的每一个发光二极管的光强来计算每一个发光二极管的脉冲宽度调制时段,所计算的脉冲宽度调制时段被配置成校正一个或多个发光二极管的不均匀性。
3.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括以下步骤:
存储所计算的每一个发光二极管的脉冲宽度调制时段。
4.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括以下步骤:
利用调整提供给所述阵列的电压的可编程电压源来控制所述阵列的发光二极管的光强,其中,对电压的调整提供对于到所述阵列的发光二极管的电流的控制和对于发光二极管发射的光强的控制。
5.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括以下步骤:
利用第一编码器读取头和第一编码器条,来调整在成像表面上方保持所述阵列的构件沿X轴的运动,第一编码器读取头的移动与所述阵列沿X轴的移动同步,并且所述第一编码器条向所述第一编码器读取头提供X轴位置指示符;和
利用第二编码器读取头和第二编码器条,调整在成像表面上方保持所述阵列的所述构件沿Y轴的运动,第二编码器读取头的移动与所述阵列沿Y轴的移动同步,并且所述第二编码器条向所述第二编码器读取头提供Y轴位置指示符;
其中,所述X轴位置指示符和所述Y轴位置指示符提供所述阵列在所述成像表面上的定位控制,以允许高分辨率成像。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,X轴位置指示符和所述Y轴位置指示符被用于计算所述阵列的各个发光二极管的发射定时。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,确定每一个发光二极管的光强包括利用集成能量传感器来测量每一个发光二极管的光强。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述集成能量传感器是感光器。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述阵列由发光二极管的多个平行的列组成。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,发光二极管的多个列按交错图案在晶片上排列,以使第一列中的任何两个发光二极管之间的空间与第二相邻列中的一个发光二极管对准,所述交错图案有助于所述晶片的制造。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,发光二极管的第一列和发光二极管的第二列的发射的定时和定位致使发光二极管的这两列的发射对于与所述发光二极管的第一列和第二列相对的感光器显现为单一列。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述阵列被包含在所述成像构件(602)中,平行于感光器(620)和透镜(604)。
13.一种提供高分辨率图像的装置,该装置包括:
由可单独寻址的发光二极管形成的阵列,该阵列由晶片制造;
集成能量传感器,被配置成确定每一个发光二极管的光强;
电子控制器,用于利用所确定的每一个发光二极管的光强来控制发光二极管发射,以在感光器上形成高分辨率图像,其中,使用支承体(612a,612b)在感光器(620)上方支撑包含透镜(604)的成像构件(602)和外壳(606),优选的,透镜是单一复杂透镜。
14.根据权利要求13所述的装置,其中,所述阵列被包含在所述成像构件(602)中,平行于感光器(620)和透镜(604)。
15.根据权利要求13所述的装置,其中,所述装置还包括:
计算机处理器,被配置成基于所测量的每一个发光二极管的光强来计算每一个发光二极管的脉冲宽度调制时段,所计算的脉冲宽度调制时段被配置成校正一个或多个发光二极管的不均匀性。
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