[发明专利]增加穿透式小角度X光散射的散射强度的装置在审

专利信息
申请号: 201410544535.5 申请日: 2014-10-15
公开(公告)号: CN104807841A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 傅尉恩;吴文立 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: G01N23/201 分类号: G01N23/201
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;李岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 增加 穿透 角度 散射 强度 装置
【权利要求书】:

1.一种增加穿透式小角度X光散射的散射强度的装置,其特征在于,该装置包含:

一增强光栅元件,设置于与一待测光栅元件相距在一入射X光的一纵向相干长度内;以及

一放置机构,以提供纳米级精确度对位,可调置增强光栅元件与待测光栅元件的横向及纵向相对对位或位置,达纳米级精确度。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该增强光栅元件设置在该待测光栅元件的前方或该待测光栅元件的后方。

3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该待测光栅元件的图案部件面向该待测光栅元件的图案部件。

4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该增强光栅元件与该待测光栅元件是由相同或不同的材料制成。

5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该增强光栅元件的图案部件的高度大于该待测光栅元件的图案部件的高度。

6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该增强光栅元件的图案部件的线距比该待测光栅元件的图案部件的线距大α倍、或为该待测光栅元件的该图案部件的高度的1/α倍,其中,α为大于或等于一的整数。

7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该增强光栅元件的图案部件是由铜、银、金或其它具有高电子密度的材料制成。

8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该增强光栅元件于穿透式小角度X光散射量测时,以纳米级精确度相对于该待测光栅元件的横向而被移动。

9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该增强光栅元件于穿透式小角度X光散射量测时,以纳米级精确度相对于该待测光栅元件的纵向而被移动。

10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该增强光栅元件是作为一参考元件,以分析具有单层或多层结构的该待测光栅元件的临界尺寸特性。

11.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该入射X光的来源是实验室光源、具有高X光通量的同步加速器光源、或其它X光源。

12.如权利要求1所述的装置,其特征在于,该增强光栅元件是一维光栅元件、二维光栅元件、孔洞阵列、孔洞阵列、柱件、或其它周期性结构。

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