[发明专利]具有提供多层压缩力的防分层结构的塑封器件在审
| 申请号： | 201410543393.0 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104409423A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | L·奥勒雷斯;叶月萍;张文楷 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 提供 多层 压缩 分层 结构 塑封 器件 | ||
1.一种塑封的多层半导体器件，包括：
第一基板，其包含至少一个第一复合层和至少一个第一通孔；
第二基板，其包含至少一个第二复合层和至少一个第二通孔；和
至少一个抗分层结构(ADS)，其由填充在第一基板和第二基板之间的绝缘材料制成；
其中ADS包含通过第一通孔和第二通孔的连接部、第一延展结构和第二延展结构；
其中第一延展结构和第二延展结构分别位于连接部的两侧，且具有比连接部的横截面积更大的横截面积，提供压缩力以防止多层半导体器件的分层。
2.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中第一延展结构在第一基板的外表面上水平延展，第二延展结构在第二基板的外表面上水平延展。
3.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中第一通孔的横截面积与第二通孔的横截面积不同。
4.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中第一通孔的横截面积与第二通孔的横截面积相同。
5.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中第一通孔在不同的第一复合层中具有不同的横截面积，并且/或第二通孔在不同的第二复合层中具有不同的横截面积，以优化内部应力分布，从而减小应力集中的强度。
6.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中第一通孔在不同的第一复合层中具有相同的横截面积，并且/或第二通孔在不同的第二复合层中具有相同的横截面积。
7.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中第一复合层和/或第二复合层包含陶瓷层和至少一个金属层。
8.根据权利要求7所述的塑封的多层半导体器件，其中第一通孔和/或第二通孔在陶瓷层中具有比在金属层中小的横截面积。
9.根据权利要求7所述的塑封的多层半导体器件，其中在金属层中第一通孔和/或第二通孔包括台阶形状。
10.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中第一基板和/或第二基板是直接覆铜(DBC)基板，直接覆铜基板包含位于两个铜层之间的陶瓷层。
11.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中绝缘材料是环氧树脂注塑化合物，其塑封在半导体器件的至少一侧上。
12.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中绝缘材料是通过一次注塑成形的。
13.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中至少一个电子部件嵌在第一基板和第二基板之间。
14.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，还包括位于第一基板和第二基板侧面的塑封体。
15.根据权利要求14所述的塑封的多层半导体器件，其中第一延展结构和/或第二延展结构与第一基板和/或第二基板的外表面上的塑封体连接。
16.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中第一基板和第二基板在第一通孔和第二通孔的一个端部处被半蚀刻，用于填充绝缘材料。
17.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，其中填充在第一基板和第二基板之间的绝缘材料用于保护互连结构和贴附在第一基板或第二基板上的芯片，并且再分布由于芯片和第一基板或第二基板之间的热膨胀系数不匹配而产生的热机械应力。
18.根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件，第一通孔的直径在第一基板的不同复合层处比在第二基板的不同复合层处大，使得第一通孔上的绝缘材料的体积增加从而加强了施加到多层半导体器件上的压缩力。
19.一种高功率电子模块，其包括根据权利要求1所述的塑封的多层半导体器件。
20.一种高功率电子模块，其包括根据权利要求2所述的塑封的多层半导体器件。
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