[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供半导体基体，所述半导体基体具有第一区域和第二区域，且所述第一区域和第二区域上分别形成有多晶硅栅极和围绕所述多晶硅栅极设置的介质层；

形成覆盖所述多晶硅栅极和所述介质层的第一金属硬掩膜；

进行退火处理，以使所述第一金属硬掩膜和所述多晶硅栅极反应生成金属硅化物；

去除所述第一区域中的所述多晶硅栅极和金属硅化物以形成凹槽，并在所述凹槽中形成金属栅极；所述退火处理的步骤中，处理温度为250～450℃，处理时间为1～30s，所述金属栅极的材料为Al或Cu；所述退火步骤的具体方式为快速热退火或激光退火。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述凹槽中形成所述金属栅极的步骤包括：

在所述凹槽中和所述第一金属硬掩膜上形成金属栅极预备层；

对所述金属栅极预备层和所述第一金属硬掩膜进行平坦化处理至暴露出所述介质层的表面，并将剩余所述金属栅极预备层作为所述金属栅极。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述平坦化处理的步骤中去除位于所述第二区域中所述多晶硅栅极的位置上的所述金属硅化物。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述第一区域包括第一器件区和第二器件区，所述多晶硅栅极包括位于所述第一器件区中的第一多晶硅栅极、位于所述第二器件区的第二多晶硅栅极和位于所述第二区域的第三多晶硅栅极；

形成所述金属栅极的步骤包括：

在所述第一多晶硅栅极的位置上形成第一金属栅极；

在所述第二多晶硅栅极的位置上形成第二金属栅极，所述第一金属栅极和所述第二金属栅极组成所述金属栅极。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，

形成所述第一金属栅极的步骤包括：

去除所述第一多晶硅栅极和位于所述第一多晶硅栅极上的所述金属硅化物以形成第一凹槽；

在所述第一凹槽中以及所述第一金属硬掩膜上形成第一金属栅极预备层；

对所述第一金属栅极预备层和所述第一金属硬掩膜进行第一次平坦化处理至暴露出所述介质层的表面，并将剩余所述第一金属栅极预备层作为所述第一金属栅极；

形成所述第二金属栅极的步骤包括：

形成覆盖所述第一金属栅极、所述第二多晶硅栅极、所述第三多晶硅栅极和所述介质层的第二金属硬掩膜；

去除所述第二多晶硅栅极和位于所述第一多晶硅栅极上的所述金属硅化物以形成第二凹槽；

在所述第二凹槽中以及所述第二金属硬掩膜上形成第二金属栅极预备层；

对所述第二金属栅极预备层和所述第二金属硬掩膜进行第二次平坦化处理至暴露出所述介质层的表面，并将剩余所述第二金属栅极预备层作为所述第二金属栅极。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，

在所述第一次平坦化处理的步骤中去除位于所述第二多晶硅栅极和第三多晶硅栅极上的部分所述金属硅化物；

在所述第二次平坦化处理的步骤中去除位于所述第三多晶硅栅极上的所述金属硅化物。

7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，

所述第一器件区为PMOS区，所述第二器件区为NMOS区；或者

所述第一器件区为NMOS区，所述第二器件区为PMOS区。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属硬掩膜为TiN。

9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求1至8中任一项所述的制作方法制作而成。