[发明专利]FinFET鳍片的制作方法有效
| 申请号： | 201410542130.8 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105575811B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 制作方法 | ||
1.一种FinFET鳍片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在绝缘体上硅上设置硬掩膜层；
刻蚀所述硬掩膜层和部分所述绝缘体上硅，形成相互隔离的条形结构；
在所述条形结构之间的所述绝缘体上硅上设置氧化层；
回蚀部分所述硬掩膜层，使所述氧化层的部分侧壁暴露；
刻蚀所述氧化层使所述暴露出的氧化层侧壁形成缺角，且刻蚀所述氧化层后对应于所述条形结构的所述绝缘体上硅上还残留有部分所述硬掩膜层；以及
回蚀部分所述氧化层，得到所述鳍片。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述缺角后，位于所述硬掩膜层表面以上的所述氧化层的体积为V1，所述缺角的体积为V2，且V1:V2＝0.5:1～4:1。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，V1:V2＝1:1～3:1。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，设置所述硬掩膜层的过程包括：
在所述绝缘体上硅上设置氧化物硬掩膜；
在所述氧化物硬掩膜上设置氮化物硬掩膜，且所述氮化物硬掩膜的厚度大于所述氧化物硬掩膜的厚度。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，被回蚀的所述部分硬掩膜层为部分所述氮化物硬掩膜。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物硬掩膜为氧化硅膜，所述氮化物硬掩膜为氮化硅层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的制作方法，其特征在于，回蚀所述硬掩膜层的过程采用湿法刻蚀工艺实施。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用质量浓度为50～85％的120～180℃的磷酸刻蚀所述硬掩膜层30～90s。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述条形结构的刻蚀过程采用反应离子刻蚀工艺实施。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，设置所述氧化层的过程包括：
在所述绝缘体上硅和所述硬掩膜层上沉积氧化物；
对所述氧化物进行化学机械抛光，得到所述氧化层。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述氧化层为二氧化硅层。
12.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀氧化层的过程采用DHF溶液实施所述刻蚀。
13.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述DHF溶液中HF和去离子水的重量比为1:100～1:500。
14.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述回蚀部分氧化层的过程采用干法刻蚀实施。
15.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀法为等离子体刻蚀法或反应离子刻蚀法。
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