[发明专利]一种准分子激光退火装置及该装置的使用方法

权利要求书

1.一种准分子激光退火装置，其特征在于，所述装置包括：

基板载台，包括：

承载面，用于承载具有非晶硅薄膜的基板；以及

温度调节模块，用于调节所述承载面上的温度，以控制所述非晶硅薄膜中的非晶硅的结晶方向；

准分子激光器，用于提供照射到所述基板的准分子激光束。

2.根据权利要求书1所述的准分子激光退火装置，其特征在于，所述温度调节模块为设置在所述承载面上的吸光部分和反光部分。

3.根据权利要求书2所述的准分子激光退火装置，其特征在于，所述吸光部分和所述反光部分嵌入所述基板载台内。

4.一种使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述准分子激光退火装置包括：

基板载台，包括：

承载面，用于承载具有非晶硅薄膜的基板；以及

温度调节模块，用于调节所述承载面上的温度，以控制所述非晶硅薄膜中的非晶硅的结晶方向；

准分子激光器，用于提供照射到所述基板的准分子激光束；

其中，使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法包括：

将所述具有非晶硅薄膜的基板放置于所述基板载台上；

使用所述准分子激光器对所述非晶硅薄膜进行退火处理，以使所述非晶硅薄膜中的非晶硅在预设区域内按照所述温度调节模块的温度调节方向结晶形成多晶硅薄膜，其中所述预设区域为与所述温度调节模块的位置相对应的所述非晶硅薄膜上的区域。

5.根据权利要求书4所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述温度调节模块为设置在所述承载面上的吸光部分和反光部分。

6.根据权利要求书5所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，在所述对所述非晶硅薄膜进行退火处理过程中，在所述非晶硅薄膜的第一部分和第二部分形成温度梯度，其中所述第一部分为所述非晶硅薄膜上与所述基板载台的反光部分所对应的区域，所述第二部分为所述非晶硅薄膜上与所述基板载台的吸光部分所对应的区域。

7.根据权利要求书6所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述在所述非晶硅薄膜的第一部分和第二部分形成温度梯度的步骤具体为：所述非晶硅薄膜的第一部分吸收照射的准分子激光束的能量以及所述反光部分反射的准分子激光束的能量，所述非晶硅薄膜的第二部分吸收照射的准分子激光束的能量。

8.根据权利要求书6所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述温度调节模块的温度调节方向为：沿所述第二部分朝向所述第一部分的方向。

9.根据权利要求书5所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述吸光部分和所述反光部分嵌入所述基板载台内。

10.根据权利要求书5所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述基板载台上设置有至少两个吸光部分和至少两个反光部分，所述吸光部分和所述反光部分交错分布在所述基板载台上。