[发明专利]用于制作导电材料的银粉的清洗工艺有效
申请号: | 201410539701.2 | 申请日: | 2014-10-11 |
公开(公告)号: | CN104308176A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 蒋志全;韩玉成;沈邃科;胡滔;郑周荣;张洪英;吴丹菁 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团云科电子有限公司 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B08B3/04 |
代理公司: | 云南派特律师事务所 53110 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制作 导电 材料 银粉 清洗 工艺 | ||
1.用于制作导电材料的银粉的清洗工艺,包括如下步骤:
a、将待清洗的银粉置入容器中,然后加入去离子水,洗涤、静置;
b、待所述容器中的银粉沉淀至下层后,利用虹吸原理,用虹吸管抽取所述容器中的上层清液;
c、当所述虹吸管抽水到接近银粉沉淀的位置时,在所述虹吸管入口处放置一个带凹槽的档板;所述挡板的凹槽朝上,所述虹吸管的入口置于所述挡板的凹槽内;所述凹槽的上端边缘高于所述银粉沉淀的位置且低于液面;
d、当所述容器中的液面与所述挡板的凹槽的上端边缘持平时,再重复前述步骤a、b、c,直到洗涤后的水的电导率小于100us/cm,即完成对银粉的清洗。
2.根据权利要求1所述的用于制作导电材料的银粉的清洗工艺,其特征在于:所述步骤b中,所述虹吸管的内径为1~3cm。
3.根据权利要求1所述的用于制作导电材料的银粉的清洗工艺,其特征在于:所述步骤c中,放置在所述虹吸管入口处的挡板的凹槽的内径为4~10cm。
4.根据权利要求1所述的用于制作导电材料的银粉的清洗工艺,其特征在于:所述步骤c中,在所述虹吸管入口处放置一个带凹槽的档板时,所述虹吸管抽水到银粉沉淀上方2~3cm处。
5.根据权利要求1所述的用于制作导电材料的银粉的清洗工艺,其特征在于:所述步骤c中,将带凹槽的挡板放置在所述虹吸管入口处时,所述挡板的凹槽的上端边缘高于所述银粉沉淀位置1~2mm。
6.根据权利要求1所述的用于制作导电材料的银粉的清洗工艺,其特征在于:所述步骤a中,待清洗的银粉的制备方法包括以下步骤:
a、将银盐制成Ag+浓度为0.5~1.5mol/L的银盐溶液,再置入反应釜中待用;
b、先将所述银盐溶液加热到35~40℃,然后加入碱性物质溶液;接着继续加热所述银盐溶液到47~53℃,再加入分散剂;又继续加热所述银盐溶液到58~61℃,加入还原剂;直到所述银盐溶液里的化学反应完全,即得待清洗的银粉。
7.根据权利要求6所述的用于制作导电材料的银粉的清洗工艺,其特征在于:所述步骤b中,所述碱性物质溶液为浓度为5~6.5mol/L氢氧化钠溶液;所述氢氧化钠溶液与所述银盐溶液的体积比为18~22:100。
8.根据权利要求6所述的用于制作导电材料的银粉的清洗工艺,其特征在于:所述步骤b中,加入的所述分散剂为明胶;所述明胶的质量与所述银盐溶液的固液比为0.8~1g/1L。
9.根据权利要求6所述的用于制作导电材料的银粉的清洗工艺,其特征在于:所述步骤b中,所述还原剂为三乙醇胺;所述三乙醇胺与所述银盐溶液的体积比为2~4/100。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华集团云科电子有限公司,未经中国振华集团云科电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410539701.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。