[发明专利]横向高压半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种横向高压半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

在第一导电类型的衬底表层，形成第二导电类型的各第一离子注入掺杂区，所述第一离子注入掺杂区的分布密度从所述横向高压半导体器件的高压端向所述横向高压半导体器件的低压端的方向上逐渐减小；

对所述衬底进行第一高温处理，以使各所述第一离子注入掺杂区形成第一扩散区；

在所述衬底上形成外延层；

在所述外延层的表层形成第二导电类型的第二扩散区和第一导电类型的第三扩散区，所述第三扩散区位于所述低压端，所述第二扩散区覆盖所述第一扩散区且从所述第三扩散区靠近所述高压端的一侧起延伸至所述高压端，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

所述高压端区域的所述第一离子注入掺杂区的分布密度是均匀的。

2.根据权利要求1所述的横向高压半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在第一导电类型的衬底表层，形成第二导电类型的各第一离子注入掺杂区，包括：

在所述第一导电类型的衬底表层，形成岛状的第二导电类型的各第一离子注入掺杂区。

3.根据权利要求2所述的横向高压半导体器件的制作方法，其特征在于，各所述第一离子注入掺杂区的宽度为0.5微米至5微米，间隔为0.5微米至5微米。

4.根据权利要求1所述的横向高压半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述外延层的表层形成第二导电类型的第二扩散区包括：

在所述外延层的表层形成第二导电类型的第二离子注入掺杂区；

对所述衬底进行第二高温处理，以使所述第二离子注入掺杂区形成所述第二扩散区，且所述第一扩散区与所述第二扩散区连通。

5.根据权利要求4所述的横向高压半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一高温处理和所述第二高温处理的工艺温度为1000摄氏度至1250摄氏度，工艺时间为60分钟至1200分钟。

6.根据权利要求1所述的横向高压半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成第二导电类型的各第一离子注入掺杂区包括：

采用第一光刻和第一离子注入工艺在所述衬底表层形成所述第二导电类型的各第一离子注入掺杂区，所述第一离子注入工艺的剂量为1×10¹²原子/平方厘米至1×10¹³原子/平方厘米。

7.根据权利要求4所述的横向高压半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述外延层的表层形成第二导电类型的第二离子注入掺杂区包括：

采用第二光刻和第二离子注入工艺在所述外延层的表层形成第二导电类型的第二离子注入掺杂区，所述第二离子注入工艺的剂量为5×10¹¹原子/平方厘米至5×10¹²原子/平方厘米。

8.根据权利要求1所述的横向高压半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述外延层的表层形成第二导电类型的第二扩散区和第一导电类型的第三扩散区之后，还包括：

在所述第二扩散区上形成场氧化层；

在所述第二扩散区未形成所述场氧化层的区域和所述第三扩散区上形成栅氧化层；

在所述第三扩散区上形成栅极，所述栅极延伸并覆盖部分所述场氧化层。

9.根据权利要求1所述的横向高压半导体器件的制作方法，其特征在于，若所述第一导电类型为N型，则所述第二导电类型为P型，或者若所述第一导电类型为P型，则所述第二导电类型为N型。