[发明专利]太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置及其分配方法有效
申请号: | 201410538159.9 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN104266992B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 史生才;张文;缪巍;林镇辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院紫金山天文台 |
主分类号: | G01N21/3581 | 分类号: | G01N21/3581 |
代理公司: | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人: | 戴朝荣 |
地址: | 210008 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 赫兹 外差 阵列 接收机 参考 信号 功率 分配 装置 及其 方法 | ||
1.太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置,包括有本振参考信号源(1),其特征是:还包括呈阵列布设的波束分离器(2)、与波束分离器(2)数量相应的混频器(3)以及负载吸收装置(4),所述的波束分离器(2)上装配有具有一定反射率和透射率的介质膜,所述的介质膜与输出波束呈45°夹角,所述的输出波束依次透射各个波束分离器(2)上的介质膜,每个所述的介质膜均反射部分输出波束与待测信号耦合后射至与之相应的混频器(3)中,本振参考信号功率分配装置通过调整不同位置的波束分离器(2)上的介质膜厚度改变介质膜反射率和透射率或调整混频器(3)的最佳功率需求,使混频器(3)接收到的本振参考信号功率与该混频器(3)的最佳功率需求相匹配。
2.根据权利要求1所述的太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置,其特征是:所述的介质膜为低损耗高强度介质膜。
3.根据权利要求2所述的太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置,其特征是:所述的介质膜为迈拉膜片。
4.根据权利要求1所述的太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置,其特征是:所述的本振参考信号源(1)的输出端放置有抛物镜(5),所述的抛物镜(5)对输出波束进行准直。
5.根据权利要求4所述的太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置,其特征是:本振参考信号功率分配装置通过调整每一个波束分离器(2)的介质膜厚度,使每个介质膜反射的输出波束功率相等。
6.根据权利要求4所述的太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置,其特征是:本振参考信号功率分配装置通过调整混频器(3)的微桥体积改变混频器(3)的最佳功率需求。
7.根据权利要求3所述的太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置,其特征是:将所述的介质膜紧绷到金属边框上形成所述的波束分离器(2)。
8.根据权利要求1所述的太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置,其特征是:透射过介质膜的待测信号与经介质膜反射的本振参考信号进行耦合,共同射入混频器(3)。
9.一种如权利要求1所述的太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置分配本振参考信号功率的方法,其特征是:包括以下步骤:本振参考信号源(1)射出的输出波束射向第一个波束分离器(2),输出波束经呈45°夹角设置的第一个波束分离器(2)的介质膜反射一部分功率给第一个混频器(3),其余输出波束透过介质膜射向第二个波束分离器(2),输出波束经第二个波束分离器(2)的介质膜反射一部分功率给第二个混频器(3),依次类推直到最后一个波束分离器(2)的介质膜反射一部分功率给最后一个混频器(3),透射过最后一个波束分离器(2)的输出波束由负载吸收装置(4)吸收,使后级波束分离器(2)的介质膜厚度逐级大于前级波束分离器(2)的介质膜厚度,每级波束分离器(2)反射的输出波束功率均匀,或者使后级混频器(3)的微桥体积逐级小于前级混频器(3)的微桥体积,随着射入混频器(3)的波束功率的减小而降低最佳功率需求。
10.根据权利要求9所述的太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配方法,其特征是:所述的本振参考信号源(1)射出的输出波束先经过抛物镜(5)实现准直后,再射入第一个波束分离器(2)。
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