[发明专利]用液相熔渗法制备单畴（Gd/Y）-Ba-Cu-O超导块材的方法

权利要求书

1.一种用液相熔渗法制备单畴（Gd/Y）-Ba-Cu-O超导块材的方法，其特征在于它由下述步骤组成：

（1）合成（Gd_xY_1-x）₂BaCuO₅前驱粉：

将Gd₂O₃、Y₂O₃与BaO、CuO初始粉按摩尔比为x：（1-x）：1：1的比例混合均匀，用固相反应法制成（Gd_xY_1-x）₂BaCuO₅前驱粉；其中0.1≤x≤0.9；

（2）配制液相源粉：

将（Gd_xY_1-x）₂BaCuO₅前驱粉与BaO、CuO初始粉按摩尔比为1：9：15的比例混合均匀，作为液相源粉；

（3）压制前驱块：

分别取（Gd_xY_1-x）₂BaCuO₅前驱粉、液相源粉放入圆柱型模具中，压制成等直径的（Gd_xY_1-x）₂BaCuO₅固相块和液相源块；其中所用（Gd_xY_1-x）₂BaCuO₅前驱粉与液相源粉的质量比为1：1.75～2.25；再取Yb₂O₃初始粉放入圆柱型模具中，压制成与（Gd_xY_1-x）₂BaCuO₅固相块和液相源块等直径、厚约2mm的薄片，作为支撑块；

（4）装配前驱块：

将液相源块、（Gd_xY_1-x）₂BaCuO₅固相块自下而上依次同轴放置在支撑块的正上方，再将一块钕钡铜氧籽晶置于（Gd_xY_1-x）₂BaCuO₅固相块的上表面中心位置，完成前驱块的装配；

（5）熔渗生长单畴（Gd/Y）-Ba-Cu-O块材：

将装配好的前驱块放在Al₂O₃垫片上，中间隔以3～5个等高的MgO单晶粒，然后整体放入井式炉中，以每小时80～120℃的升温速率升温至800～900℃，保温5～15小时；再以每小时60℃的升温速率升温至1045～1055℃，保温0.5～2小时；然后以每小时60℃的降温速率降温至1020～1030℃，再以每小时0.1～0.3℃的降温速率慢冷至990～1000℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴（Gd/Y）-Ba-Cu-O块材；

（6）渗氧处理：

将单畴（Gd/Y）-Ba-Cu-O块材放入石英管式炉中，在流通氧气气氛中，450～350℃的温区中慢冷200小时，得到单畴（Gd/Y）-Ba-Cu-O超导块材。

2.权利要求1所述的用液相熔渗法制备单畴（Gd/Y）-Ba-Cu-O超导块材的方法，其特征在于：在压制前驱块步骤（3）中，所用（Gd_xY_1-x）₂BaCuO₅前驱粉与液相源粉的质量比为1：2；在熔渗生长单畴（Gd/Y）-Ba-Cu-O块材步骤（5）中，将装配好的前驱块放在Al₂O₃垫片上，中间隔以4个等高的MgO单晶粒，然后整体放入井式炉中，以每小时100℃的升温速率升温至850℃，保温10小时；再以每小时60℃的升温速率升温至1050℃，保温1小时；然后以每小时60℃的降温速率降温至1025℃，再以每小时0.2℃的降温速率慢冷至995℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴（Gd/Y）-Ba-Cu-O块材。