[发明专利]具有超结结构的半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，包括：

元胞区域，所述元胞区域包括衬底、位于所述衬底上的第一导电类型的外延层、位于所述第一导电类型的外延层内的第一导电类型的导柱和第二导电类型的导柱，以及离子注入连接区；所述第一导电类型的导柱与第二导电类型的导柱沿着电流通路的方向在所述第一导电类型的外延层内延伸，在垂直于电流通路的方向交替连接设置，形成超结结构；

所述第一导电类型的外延层内还包括第二导电类型的第一本体区和位于所述第一本体区内的第一导电类型的源区；所述第一本体区位于所述第二导电类型的导柱的上方，且随所述第二导电类型的导柱一起间隔分布；所述第二导电类型的导柱与位于其上方的所述第一本体区之间具有预设的第一间距，所述第一间距小于或等于4um；

所述离子注入连接区一端与所述第二导电类型的导柱相连接，另一端与所述第二导电类型的导柱上方的所述第一本体区相连接，且所述离子注入连接区在所述第二导电类型的导柱上表面延伸的方向上间隔分布。

2.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述离子注入连接区内的离子注入剂量小于1×10¹³atom/cm²。

3.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述离子注入连接区为第二导电类型的离子注入连接区。

4.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述离子注入连接区为第一导电类型的离子注入连接区。

5.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件还包括：

终端区域，所述终端区域在垂直于电流通路方向上环绕所述元胞区域；

过渡区域，所述过渡区域位于所述元胞区域和所述终端区域之间，且在垂直于电流通路方向上被所述终端区域所环绕；所述过渡区域包括衬底、位于所述衬底上的第一导电类型的外延层、至少一个第一导电类型的导柱和至少一个第二导电类型的导柱、以及位于所述第一导电类型的外延层内的第二导电类型的第二本体区；所述第二本体区将所述过渡区域内的至少一个第二导电类型的导柱连接至所述元胞区域内的所述第一导电类型的源区。

6.一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，包括：

元胞区域，所述元胞区域包括衬底、位于所述衬底上的第一导电类型的外延层、位于所述第一导电类型的外延层内的第一导电类型的导柱和第二导电类型的导柱，以及离子注入连接区；所述第一导电类型的导柱与第二导电类型的导柱沿着电流通路的方向在所述第一导电类型的外延层内延伸，在垂直于电流通路的方向交替连接设置，形成超结结构；

所述第一导电类型的外延层内还包括第二导电类型的第一本体区和位于所述第一本体区内的第一导电类型的源区；所述第一本体区位于所述第二导电类型的导柱的上方，且随所述第二导电类型的导柱一起间隔分布；

所述第二导电类型的导柱包括第一子导柱和第二子导柱，所述第一子导柱与所述第二子导柱之间具有预设的第二间距；所述第一子导柱位于所述第二子导柱的上方，且所述第一子导柱远离所述第二子导柱的一端与位于其上方的所述第一本体区相连接；

所述离子注入连接区一端与所述第一子导柱相连接，另一端与所述第二子导柱相连接且所述离子注入连接区在所述第二子导柱上表面延伸的方向上间隔分布。

7.根据权利要求6所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述第一子导柱与所述第二子导柱之间的第二间距小于或等于4um。

8.根据权利要求6所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述离子注入连接区内的离子注入剂量小于1×10¹³atom/cm²。

9.根据权利要求6所述的具有超结结构的半导体器件，其特征在于：所述离子注入连接区为第二导电类型的离子注入连接区。