[发明专利]一种OLED屏gamma校正方法

权利要求书

1.一种OLED屏gamma校正方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

a)通过图像采集系统对OLED屏幕各像素点进行多次采样和中值滤波，得到各像素点的亮度信息；

b)对图像采集系统采集的图像信息进行非线性补偿处理，以消除OLED屏幕边缘亮度偏暗和图像采集系统的镜头产生的几何畸变的影响，

c)对OLED屏幕的像素进行定位，建立图像采集系统的感光像素与OLED显示屏像素的对应关系；

d)对图像采集系统采集的各像素点的亮度信息进行统计、分析和二次函数拟合，得到各像素点的发光特性曲线和校正系数矩阵；

e)根据各像素点的发光特性曲线计算得到各子像素点的特征参数；

f)根据校正系数矩阵与视频输入做预加重处理，对显示屏一致性的校正实现亮度均匀性校正。

2.如权利要求1所述的OLED屏gamma校正方法，其特征在于，步骤b)中所述的非线性补偿处理方法是：图像阴影校正和/或图像畸变矫正。

3.如权利要求1所述的OLED屏gamma校正方法，其特征在于，步骤e)中所述的子像素点的特征参数是指子像素应当补偿的亮度系数。

4.如权利要求1—3任一权利要求所述的OLED屏gamma校正方法，其特征在于，步骤f)所述的校正是：

f1)来自图像或视频信息里像素的亮度信号，经过数模转换器调制成模拟电压信号；

f2)通过控制所述模拟电压信号来控制OLED屏各像素的驱动电流，并根据电压、光强度信息进行调整，最后得到各像素点的特征参数；

f3)模拟电压信号控制流过OLED的电流Ioled，Ioled与TFT2的Vgs有如下关系：

I o l e d = 1 2 μ . C o x . W L ( V g s - V t h ) 2 ]]>

其中μ表示电子迁移率；Cox表示氧化层分布电容；表示MOS管沟道宽长比；Vgs表示MOS管栅极相对于源极的电压；Vth表示MOS管阈值开启电压；

由于输入信号V与Vgs有近似线性关系，Ioled与亮度L有近似线性关系，则亮度L与输入电压信号V可以转换成下面的2次函数关系：

L＝aV2+bV+c

其中L为M位整数，表示灰度级，V为N位整数，表示数字化的电压；在驱动OLED时，需要根据亮度L计算对应的电压V，a、b、c表示2次函数系数，其关系为：

V = b 2 4 a 2 - c a + L a - b 2 a ]]>

以K1表示K2表示K3表示则上式可以表示为：

V = K 1 L + K 2 + K 3 ]]>

其中，V为N位整数，L为M位整数，K1、K2、K3为浮点数，进一步将K1、K2、K3分解为整数部分和小数部分，容易知道，K2、K3的小数部分对整数V的影响非常小，可以忽略，即可以将K2、K3作为整数处理，考虑到L为M位整数，则K1的整数部分也需要M位，小数部分也需要M位，K2、K3都需要M位，V需要M+1位，为方便处理，将K1分解为2个参数C1、C2，同时将K2、K3以C3、C4表示，则C1、C3、C4是M位整数，C2为M位小数。