[发明专利]准分子激光退火装置及低温多晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410533019.2 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104392913B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 柴亮,张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 准分子激光 退火 装置 低温 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种准分子激光退火装置，包括：激光产生单元和工艺腔室，在所述工艺腔室中设有工作台，其特征在于，在所述工作台上设有加热单元；
所述加热单元包括陶瓷加热基板；
所述陶瓷加热基板包括：氧化铝陶瓷基板；布置于所述氧化铝陶瓷基板中的钨电阻；用于将所述钨电阻与电源连接进行供电的镍丝引线。
2.根据权利要求1所述的准分子激光退火装置，其特征在于，所述陶瓷加热基板包括高温共烧多层陶瓷基板或低温共烧多层陶瓷基板。
3.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用沉积的方法在衬底形成非晶硅薄膜；
对所述非晶硅薄膜进行加热；
采用准分子激光退火装置的加热单元将所述衬底加热至预定温度并保温；所述预定温度为500-600℃；
利用准分子激光退火装置对所述非晶硅薄膜进行退火。
4.根据权利要求3所述低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述对所述非晶硅薄膜进行加热的步骤包括在400-500℃下，加热0.5-3h。
5.根据权利要求3所述低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述的退火包括：激光束照射并扫描该非晶硅薄膜，将所述非晶硅薄膜熔化，并使非晶硅薄膜重新结晶形成多晶硅晶粒。
6.根据权利要求3所述低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火条件为：采用氯化氙激光器，波长为308nm，激光脉冲频率为500Hz，重叠率为92-98％，激光扫描速率为4-16mm/s,激光能量密度为300-500mJ/cm2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
