[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜太阳电池器件及其制备方法在审
| 申请号: | 201410531361.9 | 申请日: | 2014-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN104485372A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
| 发明(设计)人: | 薛玉明;刘浩;郭晓倩;李鹏海;潘洪刚;刘君;宋殿友;朱亚东;冯少君;尹富红;高林;航伟;乔在祥;王秀丽;任弼;汤志钦;张献东;周波;田雨仙;胡涛 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
| 主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 300384 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫 薄膜 太阳电池 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种聚酰亚胺柔性衬底的铜锌锡硒薄膜太阳电池器件的制备方法,其特征在于:氟化钠预制层和铜锌锡硒吸收层采用共蒸发薄膜制备系统,应用三步共蒸发后掺钠的制备工艺,氟化钠预制层生长于铜锌锡硒吸收层之上。
2.一种如权利要求1所述的氟化钠预制层薄膜的制备,其生长于铜锌锡硒吸收层之上,实现了三步共蒸发铜锌锡硒薄膜钠元素的后掺杂,然后再退火,其目的在于:
①钠元素可以扩散到铜锌锡硒晶粒表面改善电池的电学性能;
②提高衬底温度,在Sn和Se的气氛下退火可以使铜锌锡硒薄膜再结晶,从而改善薄膜的结晶质量。
3.一种如权利要求1所述的氟化钠预制层薄膜的制备方法,其特征在于:采用共蒸发薄膜制备系统,应用蒸发的制备工艺,氟化钠预制层薄膜的制备步骤如下:
①本底真空为3.0×10-4Pa,衬底温度为300-350℃,蒸发NaF预置层,其中NaF蒸发源的温度为800-850℃,蒸发时间为1-2min;
②衬底温度为450-500℃,在Sn和Se气氛下进行退火,其中Sn蒸发源的温度为1100-1200℃,Se蒸发源的温度为240-280℃,退火时间为10min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





