[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜太阳电池器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410531361.9 申请日: 2014-09-30
公开(公告)号: CN104485372A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 薛玉明;刘浩;郭晓倩;李鹏海;潘洪刚;刘君;宋殿友;朱亚东;冯少君;尹富红;高林;航伟;乔在祥;王秀丽;任弼;汤志钦;张献东;周波;田雨仙;胡涛 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01L31/0445 分类号: H01L31/0445;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 铜锌锡硫 薄膜 太阳电池 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种聚酰亚胺柔性衬底的铜锌锡硒薄膜太阳电池器件的制备方法,其特征在于:氟化钠预制层和铜锌锡硒吸收层采用共蒸发薄膜制备系统,应用三步共蒸发后掺钠的制备工艺,氟化钠预制层生长于铜锌锡硒吸收层之上。

2.一种如权利要求1所述的氟化钠预制层薄膜的制备,其生长于铜锌锡硒吸收层之上,实现了三步共蒸发铜锌锡硒薄膜钠元素的后掺杂,然后再退火,其目的在于:

①钠元素可以扩散到铜锌锡硒晶粒表面改善电池的电学性能;

②提高衬底温度,在Sn和Se的气氛下退火可以使铜锌锡硒薄膜再结晶,从而改善薄膜的结晶质量。

3.一种如权利要求1所述的氟化钠预制层薄膜的制备方法,其特征在于:采用共蒸发薄膜制备系统,应用蒸发的制备工艺,氟化钠预制层薄膜的制备步骤如下:

①本底真空为3.0×10-4Pa,衬底温度为300-350℃,蒸发NaF预置层,其中NaF蒸发源的温度为800-850℃,蒸发时间为1-2min;

②衬底温度为450-500℃,在Sn和Se气氛下进行退火,其中Sn蒸发源的温度为1100-1200℃,Se蒸发源的温度为240-280℃,退火时间为10min。

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