[发明专利]一种勋章菊冬季扦插的方法

说明书

技术领域

本发明涉及植物栽培技术，具体涉及一种勋章菊冬季扦插的方法。

背景技术

勋章菊为菊科勋章菊属多年生草本植物，原产于南非，单花寿命长达10天左右。具有四季常绿、三季有花、抗逆性强、一次建植可多年保持成坪效果等优良特性，既可观叶也可观花，既能盆栽观赏也能露地栽植，是扮靓城市绿化景观、丰富地被草花多样性、构建低碳园林的新优地被花卉。

目前国内市场上应用的勋章菊大多为由国外引进的杂交勋章菊品种，但进口种子价格昂贵，出苗率低，苗期长，从播种到开花需要80天以上；且养护要求高，6月份的花期结束后需要换荐更新。扦插是勋章菊快速育苗的另一途径，用这种方法培养的植株比播种苗生长快，开花时间早，短时间内可育成多大量幼苗，具简便、快速、低耗的优点。但这一栽培技术仅限于勋章菊的生长季节，也就是说夏、秋季才能进行，利用草木灰作扦插基质，将插后2-3周的扦插苗移于假植钵，再培养3-4周后才能应用于花台或花境，基质成本高，并且工序比较繁琐。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种勋章菊冬季扦插的方法，利用再生能力和抗寒能力强的勋章菊品种，同时采用低成本养护模式，按照简洁的培育工序，从而实现勋章菊周年扦插育苗的技术手段。

本发明是这样实现的：

从修剪被废弃的勋章菊茎蔓中选取健壮的蔓枝作为插穗：

利用再生能力和抗寒能力强的勋章菊品种星白或红吻作为插穗；

修剪插穗枝叶：

每个插穗保留2-5片叶，顶芽损伤的插穗尽量保留3-4片叶。

准备扦插基质：

将穴盘林木50平放于普通塑料大棚的花架上或地面，在各穴盘中加入园土，作为扦插基质，高度与盘面持平；

将插穗插入基质中，浇水并用多菌灵喷洒插穗叶面：

扦插深度为4至5cm、密度为每穴插1株，50株/盘，并对插穗和穴盘中的基质浇水，使其充分湿润，再用500-800倍多菌灵喷洒插穗叶面，以防腐烂；

定期浇水：

插后两周内每天早、晚各浇水一次，2-3周后每天浇水一次；

插穗插入基质2-3周后开始生根，待插穗根系盘抱基质时，即可移入花台或直接地栽。

本发明的有益效果在于，使用园土代替了草木灰，采用大孔穴盘林木50进行扦插繁殖，既节省了基质成本，又缩减了育苗工序，减少了移钵假植的中间过程。本技术可以实现除生长季节的露地扦插外，还可以在不加温的条件下进行冬季扦插，使勋章菊的周年扦插育苗成为可能。

附图说明

图1所示为本发明实施例扦插步骤流程图。

具体实施方式

下文将结合附图详细描述本发明的实施例。应当注意的是，下述实施例中描述的技术特征或者技术特征的组合不应当被认为是孤立的，它们可以被相互组合从而达到更好的技术效果。在下述实施例的附图中，各附图所出现的相同标号代表相同的特征或者部件，可应用于不同实施例中。

图1所示为本发明实施例扦插步骤流程图，本发明的具体实施步骤如下：

(1)从勋章菊冬季修剪被废弃的茎蔓中选取健壮的蔓枝剪成插穗。

可于12月下旬至1月上旬进行扦插；

插穗可从于12月中下旬的冬至前后修剪废弃的茎蔓中选取；

利用再生能力和抗寒能力强的勋章菊品种星白或红吻作为插穗。

(2)修剪插穗枝叶：

每个穗保留2-5片叶，顶芽损伤的插穗保留3-4片叶；

(3)准备扦插基质：

将穴盘林木50平放于塑料普通大棚的花架上或地面，在各穴盘中加入园土，作为扦插基质，高度与盘面持平。

插穗可在普通塑料大棚内进行，大棚内随自然温、湿度变化即可，棚内环境不需要补温或其它工人调节。

(4)将插穗插入基质中，浇水并用多菌灵喷洒插穗叶面；

剪取的插穗插入装有园土基质的穴盘中，扦插深度为4至5cm、密度为每穴插1株，50株/盘，并对插穗和穴盘中的基质浇水，使其充分湿润，再用500-800倍多菌灵喷洒插穗叶面，以防腐烂。

(5)定期浇水：

插后两周内每天早、晚各浇水一次，2-3周后每天浇水一次，浇水量以叶面有水珠下滴为宜。

(6)插穗插入基质2-3周后开始生根，待7-8周后，插穗根系盘抱基质时，即可移入花台或直接地栽，省略了假植钵移栽的工序，节约了人工成本。

因冬季温度较低，棚内早晚温差大，所以扦插后生根慢，2-3周后开始生根。

本文虽然已经给出了本发明的一些实施例，但是本领域的技术人员应当理解，在不脱离本发明精神的情况下，可以对本文的实施例进行改变。上述实施例只是示例性的，不应以本文的实施例作为本发明权利范围的限定。