[发明专利]一种半导体材料的解理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种解理的方法，尤其是涉及一种氮化镓、磷化铟等 半导体材料的解理方法。

背景技术

随着科技的发展和进步，半导体材料愈来愈多地应用在光电器件 中，例如氮化镓、磷化铟等材料，在使用这些材料制造光电器件的工 艺中，需要将氮化镓、磷化铟等材料进行解理，目前现有的氮化镓、 磷化铟等材料的解理工艺，一般采用金刚刀切缺口后用滚轮滚动施加 压力来完成裂开。但是这种解理的方式对于一些表面结构不耐压的器 件来说，会有较大程度的机械损伤，同时滚轮直接接触芯片表面，裂 片产生的碎屑易粘附在滚轮上，为此会带来一定程度的碎屑等沾污样 品表面的可能。因此，寻找一种能够避免以上缺陷的解理方法成为目 前最为迫切的需要。

发明内容

本发明提供一种解理方法，采用气动的吸力迫使芯片沿晶向自然 解理，为实现吸力，将常规解理机台的样品支持件换成具有气动的装 置，样品支持件设计成一长条块，内部挖空成一封闭腔室，腔室侧面 打孔连出真空管，上表面由两个面组成，左表面与下表面平行，右表 面与下表面夹角小于6°，在上表面上打孔，用于吸附样品，左上表 面靠近右上表面共用边的区域预留出一定宽度区域不打孔，用于划片 时有一定平整度的样品台，在解理样品时，先用划片命令在样品解理 槽前端切出一定长度的缺口，再启用真空装置用吸力吸住样品解理槽 左右两边的区域，即施加一定强度的吸力给样品，使得样品在两个吸 力和一个支撑力的作用下沿缺口处裂开，形成自然解理的端面。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例 仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读 了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动 或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范 围。

具体实施方式

本发明的解理方法及解理装置，应用于氮化镓。磷化铟等脆性材 料的解理工艺，可以实现样品表面无接触裂片的目的。本发明适用于 脆性材料的解理，为使本发明更浅显易懂，以下将以应用本发明技术 的较佳实施例予以详细说明。

将需解理的样品固定在支持件上方，转动该样品使得解理槽与解 理对准边对齐，金刚石刀在解理槽前端切一个一定长度的缺口，开启 腔室真空，产生芯片背面的吸力，使得芯片沿着解理槽自然裂开，实 现芯片正面表面无接触式解理。

通过使用以上解理方法制得光电器件，其光电性能得到了明显提 高、成品率也获得了大幅度的提升、使用寿命延长，起到了良好的效 果。