[发明专利]一种区熔炉反射环

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅单晶区熔炉的反射环。

背景技术

如图1、2所述，现有的技术中的区熔炉反射环，为上部带有冷却水管的铜质非封闭圆环。而实际生产中我们发现，硅单晶在区熔保持的过程中会产生开裂的情况。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种区熔炉反射环，避免出现硅单晶保持过程中开裂的情况。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：包括反射环固定件,所述固定件包括圆环固定架和和夹持件,所述圆环固定架位于夹持件的一端,所述圆环固定架内固定一封闭圆环,所述封闭圆环的上半部开有若干U型槽。

进一步，所述封闭圆环为铜质圆环。

优选的，所述圆环高度为15-60mm。

优选的，所述U型槽深度为5-20mm。

本发明具有的优点和积极效果是：本发明改变了原有反射环的结构，取消了冷却水管，并在圆环上开槽，该结构的设计能降低硅单晶在保持过程中的内应力，有效地避免了硅单晶的开裂。

附图说明

图1是现有技术中反射环的俯视结构示意图

图2是现有技术中反射环的侧视结构示意图

图3是本发明反射环的俯视结构示意图

图4是本发明反射环的侧视结构示意图

图中：

1、冷却水路 2、非封闭圆环 3、夹持件

4、圆环固定架 5、封闭圆环 6、U型槽

具体实施方式

如图1所示，现有技术中的反射环包括非封闭圆环1和位于非封闭式圆环1外部的冷却水路2，该非封闭圆环2的厚度约为15-40mm。而经过我方的试验的研究论证，发现这种设计容易造成硅单晶在保持过程中由于内应力过大产生开裂的情况。故针对这个问题对反射环进行了重新设计和改进。

本申请的区熔炉反射环，包括反射环固定件,固定件包括圆环固定架4和和夹持件3,圆环固定架4位于夹持件3的一端,圆环固定架4内固定一封闭圆环5,封闭圆环5的上半部开有若干U型槽6。该封闭圆环5为铜质圆环。圆环高度为15-60mm。上半部开有深度为5-20mm的若干个U型槽6。

本申请的反射环的结构能将单晶辐射出的热量反射回去，并且由于电磁感应原理，反射环产生磁感线对单晶产生辅助加热的作用，减小了单晶轴向温度梯度，减少了开裂的几率。

以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。