[发明专利]一种单晶石墨烯线材及其制作方法在审
申请号: | 201410523873.0 | 申请日: | 2014-10-08 |
公开(公告)号: | CN105568375A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 段兴 | 申请(专利权)人: | 段兴 |
主分类号: | C30B29/02 | 分类号: | C30B29/02;C30B29/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266000 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶石 线材 及其 制作方法 | ||
所属技术领域
本发明涉及一种石墨烯线材及其制作方法,尤其是有完整单晶结构特性,可以用作高电导导线、高强度缆绳的以单晶石墨烯为主、复合而成,或者纯单晶石墨烯组成的单晶石墨烯线材及其制作方法。
背景技术
目前,公知的石墨烯线材都为多晶石墨烯类,其导电性、力学强度与单晶石墨烯差很多,而常见的单晶石墨烯多为面材、薄膜类,用作高电导导线、高强度缆绳的单晶石墨烯线材还未见有。
发明内容
为了克服现有的石墨烯材料的不足,本发明提供一种单晶石墨烯线材及其制作方法,该单晶石墨烯线材有完整单晶晶体特性,具有超强导电性、超高拉伸强度,其制作方法简洁、无污染,形成线材粗细均匀,形貌、尺寸、长度可控,可连续生成,适宜大批量生产,是下一代高电导导线、高强度缆绳的理想材料。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案:以纯的单晶石墨烯、或者以单晶石墨烯为主材复合形成线材,制作方法有二类,一类是间接法,将单晶SiC线材、薄膜转化为单晶石墨烯线材、卷绕薄膜,通过以高温、电子束轰击、激光照射等形式,脱去硅,形成单晶石墨烯线材,第2类为直接法,通过碳纤维前驱体纤维,在模板作用下,分子排列调整为石墨烯型,再以碳化后处理形成。
本发明的有益效果是,该单晶石墨烯线材具有完整单晶结构特性,超强导电性、超高拉伸强度,其制作方法简洁、无污染,形成线材粗细均匀,形貌、尺寸、长度可控,可连续生成,适宜大批量生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的原理图。
图2是第一个实施例的流程图。
具体实施方式
在图1中,第1步制作单晶SiC线材、薄膜,第2步通过以高温、电子束轰击、激光照射等形式,脱去硅,形成单晶石墨烯线材。
在图2中,第1步以碳纤维前驱体纤维,在模板作用下,分子排列调整为石墨烯型,为第2步,第3步以碳化后处理形成单晶石墨烯。
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