[发明专利]一种可控内电场的PN结在审
| 申请号： | 201410523872.6 | 申请日： | 2014-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105576007A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 段兴 | 申请（专利权）人： | 段兴 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可控 电场 pn | ||
【说明书】：
所属技术领域
本发明涉及一种半导体的PN结，尤其是可调节内电场强度的可控内电场的PN结。
背景技术
目前，公知的半导体的PN结都为结面电子扩散与空穴扩散自动形成，大小有此类决定，无法任意调控，这样，在有些场合需要高输出电压，如光伏，在有些场合需要低输出电压，如电容，很难实现调控。
发明内容
为了克服现有的半导体的PN结的不足，本发明提供一种可控内电场的PN结，该PN结可以任意调控PN结电压，对需要高低PN结电压的情况，有非常理想效果。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案：在原PN结的二侧，增加二调压极，分别通与PN结内电场同向、反向电压，即可分别增大、减小内电场电压，也可直接以调压极代替PN结。
本发明的有益效果是，可调节内电场强度，对需要高、低内电场的情况，可获得很好效果，其制作方法简洁、无污染，与常规半导体工艺兼容，可连续生成，适宜大批量生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的原理图。
图2是第一个实施例的构造图。
图中1.PN结，2.调压极。
具体实施方式
在图1中，PN结（1）与调压极（2）。
在图2所示实施例中，调压极（2）代替PN结。
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