[发明专利]存储元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储元件，其特征在于，包括：

多数个杯状电容器，位于衬底上；

底支撑层，配置于所述杯状电容器的多数个下侧壁之间的所述衬底上；以及

顶支撑层，配置于所述杯状电容器的多数个上侧壁周围，与所述底支撑层彼此之间具有空隙，所述顶支撑层包括：

周边支撑层，在所述杯状电容器外围并与所述杯状电容器连接；以及

核心支撑层，在所述周边支撑层内，且与所述周边支撑层相隔一间隙，连接任意相邻的两个杯状电容器。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述杯状电容器包括：

多数个杯状下电极，位于所述衬底上，所述杯状下电极的多数个下侧壁与所述底支撑层连接，所述杯状下电极的多数个上侧壁与所述顶支撑层连接；

上电极，覆盖所述杯状下电极的表面；以及

介电层，至少配置在所述上电极与所述杯状下电极之间。

3.根据权利要求2所述的存储元件，其特征在于，所述上电极还覆盖所述底支撑层以及所述顶支撑层，且所述介电层还介于所述上电极与所述底支撑层之间以及所述上电极与所述顶支撑层之间。

4.根据权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述核心支撑层为块状或环状。

5.根据权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述核心支撑层的形状包括矩形、跑道形或星形。

6.根据权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述底支撑层、所述顶支撑层的材料各自包括氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、碳化硅或其组合。

7.根据权利要求1所述的存储元件，其特征在于，还包括多数个导体区配置在所述衬底上，其中每一导体区与所对应的所述杯状电容器的底部电性连接。

8.根据权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述顶支撑层与所述底支撑层之间的所述空隙为充填空气。

9.一种存储元件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有多数个导体区；

在所述衬底上形成底支撑层，所述底支撑层裸露出所述导体区；

在所述衬底上形成多数个杯状下电极，所述杯状下电极与所述导体区电性连接，其中所述底支撑层位于所述杯状电容器的多数个下侧壁之间；以及

在所述衬底上形成顶支撑层，配置于所述杯状电容器的多数个上侧壁周围，与所述底支撑层彼此之间具有空隙，所述顶支撑层包括：

周边支撑层，在所述杯状电容器外围并与所述杯状电容器连接；以及

核心支撑层，在所述周边支撑层内，且与所述周边支撑层相隔一间隙，连接任意相邻的两个杯状电容器。

10.根据权利要求9所述的存储元件的制造方法，其特征在于，所述核心支撑层为块状或环状。