[发明专利]键盘在审
申请号: | 201410522661.0 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104319143A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 江英德;支劭祺;赵令溪 | 申请(专利权)人: | 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
主分类号: | H01H13/83 | 分类号: | H01H13/83 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 键盘 | ||
技术领域
本发明是有关于一种键盘,且特别是有关于一种具有光萃取点的键盘。
背景技术
传统发光键盘包括导光板及光源。导光板具有数个光萃取点,使光源发射的光线入射至光萃取点后,扩散地出光。然而,光线的行经路径愈远,其光强度愈弱,如此使得光线入射至离光源较远的光萃取点后,扩光效果相对较低,反而导致整体的出光不均匀。
发明内容
本发明关于一种键盘,旨在进一步改善现有技术中发光键盘整体出光不均匀的问题。
本发明公开了一种键盘,该键盘包括:按压元件,具有透光区;导光板,与该按压元件相对配置,且该导光板具有出光区、光萃取区及复数个光萃取点,其中该出光区与该透光区相对设置,该光萃取区为该复数个光萃取点所围成的区域,该光萃取区的该复数个光萃取点彼此接触,该光萃取区与该出光区重叠,或者该光萃取区与该出光区完全不重叠;光源,设置导光板的一侧;以及触发基板,设置于该按压元件下方。
作为优选的方案,该光萃取区的面积大于或等于该出光区的面积。
作为优选的方案,该导光板具有出光面,该光萃取区形成于该导光板的该出光面。
作为优选的方案,该导光板具有下表面,该光萃取区形成于该导光板的该下表面。
作为优选的方案,该导光板具有出光面及与该出光面相对的下表面,该光萃取区中的一些该光萃取点形成于该导光板的该出光面,而该光萃取区中的另一些该光萃取点形成于该导光板的该下表面。
作为优选的方案,形成于该导光板的该出光面的该些光萃取点与形成于该导光板之该下表面的该些光萃取点交错排列。
作为优选的方案,该按压元件为挠性膜。
作为优选的方案,该按压元件包括复数个按压区及复数个该透光区,各个该按压区具有对应的该透光区。
作为优选的方案,该触发基板位触控面板。
作为优选的方案,该触发基板为薄膜开关层。
作为优选的方案,该光萃取区包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区及第二光萃取区,其中,该第一萃取区与对应的该出光区完全不重叠;该第二光萃取区与对应的该出光区完全重叠。
作为优选的方案,该导光板具有相对的出光面与下表面,该光萃取区包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区、第二光萃取区及第三光萃取区,其中,该第一光萃取区与对应的该出光区完全不重叠;该第二光萃取区形成于该导光板的该出光面与该下表面;该第三光萃取区与对应的该出光区完全重叠。
作为优选的方案,该导光板具有相对的出光面与下表面,该光萃取区包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区、第二光萃取区及第三光萃取区,其中,该第一光萃取区与对应的该出光区完全不重叠且形成于该导光板的该出光面;该第二光萃取区与对应的该出光区完全重叠且形成于该导光板的该出光面;该第三光萃取区与对应的该出光区完全重叠且形成于该导光板的该下表面。
作为优选的方案,该导光板具有相对的出光面与下表面,包含沿着远离该光源方向依序排列的第一光萃取区、第二光萃取区及第三光萃取区,其中,该第一光萃取区形成于该导光板的该出光面;该第二光萃取区形成于该导光板的该出光面及该下表面;该第三光萃取区形成于该导光板的该下表面。
作为优选的方案,该按压元件包括:键帽;底板,设置于该键帽下方;升降机构,设置于该触发基板与该键帽之间,该升降机构用以辅助该键帽相对于该底板升降;以及弹性件,设置于该触发基板与该键帽之间,该弹性件用以提供回复力使该键帽复位。
本发明还公开了一种键盘,该键盘包括:按压元件,具有透光区;导光板,设置于该按压元件下方,该导光板具有复数个光萃取点,每一光萃取点具有萃取点外缘,该透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出出光区,该出光区具有第一外周缘;
其中,该复数个光萃取点紧密排列而使该复数个萃取点外缘相互切齐或部分重叠,该复数个光萃取点所占据的全部区域定义为光萃取区,该光萃取区具有第二外周缘;
其中该光萃取区中心点正对该出光区中心点,该光萃取区与该出光区重叠,且该光萃取区的该第二外周缘至少部分切齐该出光区的该第一外周缘。
本发明还公开了一种键盘,该键盘包括:按压元件,具有透光区;导光板,设置于该按压元件下方,该导光板具有复数个光萃取点,每一光萃取点具有萃取点外缘,该透光区垂直向下投影至该导光板上以定义出出光区,该出光区具有第一外周缘;
其中,该些光萃取点排列紧密而使该些萃取点外缘相互切齐或部分重叠,该复数个光萃取点所占据的全部区域定义为光萃取区,该光萃取区具有第二外周缘;
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