[发明专利]空白掩模和光掩模

权利要求书

1.一种空白掩模，所述空白掩模包括在透明衬底上形成的不透光膜以及硬膜，其中在形成图案之后的修复工艺中，所述不透光膜被所注入气体破坏的程度以0到0.5的各向异性比率形式数字化，其中所述各向异性比率是所述图案的横向破坏与蚀刻深度的比率，

其中所述不透光膜由包含硼的硅化钼化合物形成，且硼的含量小于或等于5原子％。

2.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述不透光膜由从由以下各者所构成的族群中选出的硅化钼化合物形成：MoSiB、MoSiBO、MoSiBN、MoSiBC、MoSiBON、MoSiBCN、MoSiBOC以及MoSiBCON。

3.根据权利要求2所述的空白掩模，其中所述不透光膜的组成比率是其中：钼含量是1原子％到15原子％，硅含量是40原子％到80原子％，氮含量是15原子％到35原子％，硼含量是小于或等于5原子％，碳含量是0原子％到5原子％，以及氧含量是0原子％到5原子％。

4.根据权利要求2所述的空白掩模，其中所述不透光膜使用硅硼化钼靶来形成，

其中所述硅硼化钼靶的组成比率是其中Mo:Si:B＝2原子％到20原子％:97原子％到70原子％:小于或等于5原子％。

5.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述不透光膜具有从由以下各者所构成的族群中选出的结构：单层膜、连续单层膜、多层膜以及连续多层膜。

6.根据权利要求2所述的空白掩模，其中，当所述不透光膜具有包含光屏蔽膜以及抗反射膜的双层结构时，就钼、硅以及氮当中至少一种的含量而言，所述光屏蔽膜与所述抗反射膜不同，其中钼含量是0原子％到10原子％，硅含量是0原子％到40原子％，以及氮含量是0原子％到10原子％。

7.根据权利要求1所述的空白掩模，其中，当所述不透光膜具有包含光屏蔽膜以及抗反射膜的双层结构时，所述光屏蔽膜的厚度是35纳米到50纳米，以及所述抗反射膜的厚度是3纳米到20纳米。

8.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述不透光膜在193纳米曝光波长下的光学密度是2.5到3.5。

9.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述硬膜由至少一种从由以下各者所构成的族群中选出的材料形成：钼、钽、钒、钴、镍、锆、铌、钯、锌、铬、铝、锰、镉、镁、锂、硒、铜、铪、钨以及硅，或由选定的至少一种所述材料和至少一种从由以下各者所构成的族群中选出的材料形成：氧、氮、碳以及硼。

10.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述硬膜由从由以下各者所构成的族群中选出的铬化合物形成：Cr、CrO、CrN、CrC、CrON、CrOC、CrCN、CrCON、CrB、CrBO、CrBN、CrBC、CrBON、CrBOC、CrBCN以及CrBCON。

11.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述硬膜的厚度是2纳米到5纳米。

12.一种光掩模，使用根据权利要求1至11中任一项所述的空白掩模来制造。