[发明专利]一种暖地泥炭藓无土高产栽培方法在审

专利信息
申请号: 201410519606.6 申请日: 2014-09-30
公开(公告)号: CN104303759A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 朱国金 申请(专利权)人: 贵州高原农产资材开发有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 代理人: 韩炜
地址: 551300 贵州省黔南布依族苗族*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 泥炭 无土 高产 栽培 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种暖地泥炭藓无土高产栽培方法,属于泥炭藓种植技术领域。

背景技术

泥炭藓,别名水苔,属于泥炭藓亚纲,泥炭藓目,中国专利200310104033公开了一种水苔种植方法。该方法是将泥炭藓枝条整株或切断后进行培养,是野生种苗变人工种植驯化的原生种苗,种植产量不高,按照传统种植方法,亩产在200公斤,品质也不如新西兰和智利的泥炭藓,达不到出口高价格要求。全世界泥炭藓品种300余种,我国有46种。如“中位泥炭藓”、“加萨泥炭藓”、“粗叶泥炭藓”、“拟尖叶泥炭藓”、“暖地泥炭藓及其亚种”、“密叶泥炭藓”、“泥炭藓及其亚种”等。各种泥炭藓的用途、外观、品相、生长特性等都有一定的差距,如果采用原有的泥炭藓种植方法,无法针对单一品种进行培养、改良,达到进一步人工种植提高泥炭藓产品质量和产量的目的。

发明内容

本发明的目的在于:提供一种暖地泥炭藓无土高产栽培方法,能够适合暖地泥炭藓种植,改善暖地泥炭藓品种,提高其产量。

本发明的技术方案:暖地泥炭藓无土高产栽培方法,包括下述步骤:

(1)选择海拨500米到2000米区域的PH值4—6.5的沼泽土壤,开挖成沟深0.2m、沟宽0.4m蓄水沟,做成半旱式厢,厢宽1.8m-2m;

(2)、在厢面上铺盖塑料膜,把膜拍紧拍平,用直径5cm粗削尖一头的木棒在膜面上以10-20cm×10-20cm规格插成地气孔,让地下的水和湿气串到膜面上保持膜面有水湿状态;

(3)、在膜面上播撒厚1—3cm的腐殖土;

(4)、将含有孢子体的暖地泥炭藓鲜品植物体5—10cm的枝条或1cm—5cm长的碎段作为种苗,均匀地播撒在厢的膜面上,1平方米用种苗量为200-300g,一亩用种苗量为120-180kg;

(5)、将稻草切成3—5cm的碎段,用稻草碎段均匀地播撒在厢上,盖住种苗,将草段、种苗和培养土拍紧;

(6)、用绿色遮阴网将种植好的暖地泥炭藓盖好并且将网的四周压实;

(7)、种植好的厢面用微喷方法一天3—6次喷湿;

(8)、种植好的厢面10天检查一次,对缺苗的要补上,对有杂草生长出来的留用部分直立不发兜的野草作遮阴用,除掉侵害大的水草、湖草及菊莒菜;

(9)、种植15天后,孢子体开始萌芽繁育,60天后芽头及新茎中的孢子体开始繁育出新的孢子体,种植18个月后长大成熟,进入采收期。

上述的暖地泥炭藓无土高产栽培方法,包括下述步骤:

(1)选择海拨500米到2000米区域的PH值4—6.5的沼泽土壤,开挖成沟深0.2m、沟宽0.4m蓄水沟,做成半旱式厢,厢宽1.8m-2m;

(2)、在厢面上铺盖塑料膜,把膜拍紧拍平,用直径5cm粗削尖一头的木棒在膜面上以15cm×15cm规格插成地气孔,让地下的水和湿气串到膜面上保持膜面有水湿状态;

(3)、在膜面上播撒厚2cm的培养土;

(4)、将含有孢子体的暖地泥炭藓鲜品植物体1cm—5cm长的碎段作为种苗,均匀地播撒在厢的膜面上,1平方米用种苗量为200-300g,一亩用种苗量为120-180kg;

(5)、将稻草切成3—5cm的碎段,用稻草碎段均匀地播撒在厢上,盖住种苗,将草段、种苗和培养土拍紧;

(6)、用绿色遮阴网将种植好的暖地泥炭藓盖好并且将网的四周压实;

(7)、种植好的厢面用微喷方法一天4—5次喷湿;

(8)、种植好的厢面10天检查一次,对缺苗的要补上,对有杂草生长出来的留用部分直立不发兜的野草作遮阴用,除掉侵害大的水草、湖草及菊莒菜;

(9)、种植15天后,孢子体开始萌芽繁育,60天后芽头及新茎中的孢子体开始繁育出新的孢子体,种植18个月后长大成熟,进入采收期。

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