[发明专利]具有补偿光谱响应的光电二极管

权利要求书

1.一种方法，包括：

从配置成根据第一光谱响应函数响应于入射光而生成第一光电流的一个或多个光电二极管接收第一光电流的指示；

从配置成根据第二光谱响应函数响应于所述入射光而生成第二光电流的一个或多个光电二极管接收所述第二光电流的指示，其中所述第二光谱响应函数不同于所述第一光谱响应函数；

从配置成根据第三光谱响应函数响应于所述入射光而生成第三光电流的一个或多个光电二极管接收所述第三光电流的指示，其中所述第三光谱响应函数不同于所述第一光谱响应函数和所述第二光谱响应函数；以及

根据第四光谱响应函数输出所述入射光的所述强度的所述指示，其中所述入射光的所述强度的所述指示基于所述第一光电流、所述第二光电流和所述第三光电流中的每一个光电流，其中所述第四光谱响应函数不同于所述第一光谱响应函数、所述第二光谱响应函数和所述第三光谱响应函数。

2.权利要求1所述的方法，其中所述第四光谱响应函数逼近适应光的响应。

3.权利要求1所述的方法，

其中配置成生成所述第一光电流的所述一个或多个光电二极管包括p型衬底和在所述p型衬底内的n型阱，配置成生成所述第一光电流的所述一个或多个光电二极管的配置包括不屏蔽所述入射光，

其中配置成生成所述第二光电流的所述一个或多个光电二极管包括p型衬底、在所述p型衬底内的n型阱以及在所述n型阱内并短路到所述n型阱的p型扩散层，配置成生成所述第二光电流的所述一个或多个光电二极管的配置包括不屏蔽所述入射光，

其中配置成生成所述第三光电流的所述一个或多个光电二极管包括p型衬底和在所述p型衬底内的n型阱，配置成生成所述第三光电流的所述一个或多个光电二极管的配置包括不屏蔽所述入射光。

4.权利要求3所述的方法，其中配置成生成所述第一光电流的所述一个或多个光电二极管还包括在所述n型阱内的浮动p型扩散层。

5.权利要求3所述的方法，

其中配置成生成所述第一光电流的所述一个或多个光电二极管与配置成生成所述第二光电流的所述一个或多个光电二极管是相互排他的，

其中配置成生成所述第一光电流的所述一个或多个光电二极管与配置成生成所述第三光电流的所述一个或多个光电二极管是相互排他的，以及

其中配置成生成所述第二光电流的所述一个或多个光电二极管与配置成生成所述第三光电流的所述一个或多个光电二极管是相互排他的。

6.权利要求3所述的方法，还包括使在n型阱内的p型扩散层短路到配置成生成所述第一光电流的一个或多个光电二极管的所述n型阱以将配置成根据所述第一频谱响应函数生成所述第一光电流的一个或多个光电二极管重新配置为配置成根据所述第二频谱响应函数生成所述第二光电流的一个或多个光电二极管。

7.权利要求1所述的方法，还包括从配置成根据第五光谱响应函数响应于所述入射光生成第四光电流的一个或多个光电二极管接收所述第四电流的指示，其中所述入射光的所述强度的所述指示还基于所述第四光电流。

8.权利要求7所述的方法，

其中配置成生成所述第一光电流的所述一个或多个光电二极管包括p型衬底、在所述p型衬底内的n型阱和在所述n型阱内的浮动p型扩散层，

其中配置成生成所述第二光电流的所述一个或多个光电二极管包括p型衬底、在所述p型衬底内的n型阱以及在所述n型阱内并短路到所述n型阱的p型扩散层，

其中配置成生成所述第三光电流的所述一个或多个光电二极管包括p型衬底、在所述p型衬底内的n型阱以及在所述n型阱内并短路到所述n型阱的p型扩散层，在配置成生成所述第三光电流的所述一个或多个光电二极管的所述n型阱内的所述p型扩散层比在配置成生成所述第二光电流的所述一个或多个光电二极管的所述n型阱薄，以及

其中配置成生成所述第四光电流的所述一个或多个光电二极管包括p型衬底、在所述p型衬底内的n型阱和在所述n型阱内的浮动p型扩散层，配置成生成所述第三光电流的所述一个或多个光电二极管的配置包括屏蔽所述入射光。