[发明专利]一种微弧氧化改善铝合金焊接接头残余应力的方法在审
| 申请号: | 201410516016.8 | 申请日: | 2014-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN104233427A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
| 发明(设计)人: | 朱宗涛;李远星;王雪飞;陈辉 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
| 主分类号: | C25D11/04 | 分类号: | C25D11/04;C25D11/02;C25D5/18 |
| 代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人: | 张澎 |
| 地址: | 610031 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化 改善 铝合金 焊接 接头 残余 应力 方法 | ||
1.一种微弧氧化改善铝合金焊接接头残余应力的方法,通过微弧氧化处理在焊接接头表面制备一表面层以改善焊接接头残余应力分布并提高自身的防腐、耐磨性能;其主要手段为:将被处理的焊接接头工件悬置于盛有电解液的电解槽内,工件与电解槽壁分别接微弧氧化电源的阳极和阴极,采用电参数范围为:正向脉冲电压100-800V,正向脉冲宽度50-1000μs,负向脉冲电压50-250V,输出频率50-3000Hz。微弧氧化反应进行20min~40min后,获得膜厚达到20~60μm的涂层。
2.根据权利要求1所述的微弧氧化改善铝合金焊接接头残余应力的方法,其特征在于,所述电解液微弧氧化溶液体系可采用硅酸盐体系、偏铝酸盐、磷酸盐和碳酸盐溶液体系。
3.根据权利要求1所述的微弧氧化改善铝合金焊接接头残余应力的方法,其特征在于,所述电参数范围为:正向脉冲电压600V,正向脉冲宽度200μs,负向脉冲电压0V,输出频率500Hz;反应进行30min获膜层厚度5-100μm的表面层。
4.根据权利要求2所述的微弧氧化改善铝合金焊接接头残余应力的方法,其特征在于,所述硅酸盐体系主成膜剂为Na2SiO3,浓度范围为10~25g/L;PH调节剂为KOH,其浓度范围为6~20g/L。
5.根据权利要求4所述的微弧氧化改善铝合金焊接接头残余应力的方法,其特征在于,所述硅酸盐体系可以选择添加浓度为10g/L的NaAlO2、浓度为15g/L的(Na2P03)6、浓度为5g/L的K2CO3,与Na2SiO3配合作为成膜剂。可以选择添加浓度为4g/L的Na2EDTA作络合剂。
6.根据权利要求4所述的微弧氧化改善铝合金焊接接头残余应力的方法,其特征在于,Na2SiO3浓度为12g/L,KOH浓度为2g/L。
7.根据权利要求1所示的一种微弧氧化改善铝合金焊接接头残余应力的方法,其特征在于,除铝合金焊接接头外,还可施于其它合金,如镁及镁合金、钛和钛合金焊接接头。
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