[发明专利]一种低成本超薄扇出型封装结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明公开了一种低成本超薄扇出型封装结构，本发明还公开了一种低成本超薄扇出型封装结构的制作方法。

背景技术

随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型晶圆级封装技术(Fanout WaferLevel Package,FOWLP)的出现，满足了芯片产品尺寸更薄、节省材料（封装基板）等特点，但是如何降低扇出型圆片级封装产品的成本成为需要研究的方向。

J-Devices公司的专利主要是一个半导体装置1000，半导体装置里面有半导体芯片1004，半导体芯片底部是一个基板1002，芯片1004通过粘结胶1018与基板1002结合在一起，芯片1004被第一绝缘层1012包裹。导线1008通过连接部1008A与芯片1004导通。在导线1008上面形成第二绝缘层1014，焊球1010通过第二绝缘层的1014开口与导线1008连接。

其主要工艺如下：

第一步：芯片1004通过粘结胶1018贴在基板1002上；

第三步：涂覆第一绝缘树脂1012，并在树脂上开出窗口，露出芯片上的焊盘；

第四步：通过图形电镀与光刻的方法，制作重布线层（RedistributionLayer，RDL）,将芯片上的焊盘引出；

第五步：制作第二绝缘层1014，并做开口露出重布线层的导线1008；

第六步：在第二绝缘层上面制作焊球或凸点1010；

该专利的不足之处在于，工艺的第三步中涂覆第一绝缘树脂，由于通常芯片厚度在50微米以上，所以涂覆绝缘树脂的厚度不易控制，不利于精细线路的制作。而且个别树脂（如PBO）价格较高，不利于成本控制。

另外，台湾育霈科技股份有限公司在TW200805595A.专利中，给出了一种扇出型晶圆级封装的结构，如图2所示。

该封装体结构包含芯片110，芯片110底部有一个基底100，将芯片110贴在基底100上面。芯片周围覆盖第一介电层120，在第一介电层120上面覆盖第二介电层122，第二介电层122表面形成电路130，将芯片导电层126引出。第二介电层122表面形成第三介电层132，第三介电层132表面形成开口露出电路130，焊球136在开口处与电路130相连，也可以在第一介电层120内部埋入器件142，形成互联。

该技术的不足之处是需要一个基底作为载体，增加了工艺的复杂性，同时不利于芯片整体厚度的降低。

发明内容

本发明的目的之一是克服现有技术中存在的不足，提供一种有利于降低产品成本并能有效控制封装后的整体厚度的低成本超薄扇出型封装结构。

本发明的另一目的是提供一种低成本超薄扇出型封装结构的制作方法。

按照本发明提供的技术方案，所述低成本超薄扇出型封装结构，包括第一绝缘树脂层、第二绝缘树脂层、第三绝缘树脂层、芯片、导电球、导电线路、导通盘与保护膜；在芯片的周围填充第一绝缘树脂层，在第一绝缘树脂层与芯片的上表面设有第二绝缘树脂层，在第二绝缘树脂层的上表面设有第三绝缘树脂层，在第三绝缘树脂层上设有导电球，在芯片的上表面设有导通盘，在导通盘上连接有导电线路，导电线路位于第二绝缘树脂层内，导电线路的另一端与导电球相连，在第一绝缘树脂层与芯片的下表面设有保护膜。

所述芯片为单个或者多个；所述芯片为有源芯片或者无源芯片。

所述导电线路为单层或者多层。

一种低成本超薄扇出型封装结构的制作方法包括以下步骤：

a、取承载片，在承载片的上表面制作对准标记；

b、在承载片的上表面覆盖临时键合薄膜；

c、将芯片放置在临时键合薄膜的上表面，并在芯片的周边填充第一绝缘树脂层，芯片的上表面具有导通盘；

d、在第一绝缘树脂层的上表面涂覆第二绝缘树脂层，第二绝缘树脂层将芯片和第一绝缘树脂层覆盖；

e、在第二绝缘树脂层上开口，将导通盘露出；

f、在第二绝缘树脂和导通盘的上表面形成一层可以导电的第一种子层，在第一种子层的上表面涂覆光刻胶，在光刻胶的表面形成图形，并在图形中形成导电线路。

g、去除光刻胶和光刻胶底部的第一种子层，保留导电线路底部的第一种子层，在导电线路的上表面涂覆第三绝缘树脂层，第三绝缘树脂层将导电线路和第二绝缘树脂层覆盖；

h、在第三绝缘树脂层上形成开口将导电线路露出；