[发明专利]研磨方法

权利要求书

1.一种研磨方法，其特征在于，

使对研磨垫进行支承的研磨台旋转，

一边将含有磨料的研磨液供给到所述研磨垫，一边将表面形成有导电性膜的基板按压到所述研磨垫上而对所述导电性膜进行研磨，

在对所述导电性膜的研磨中，通过配置在所述研磨台的内部的涡电流式膜厚传感器获取膜厚信号，所述膜厚信号根据所述导电性膜的厚度而变化，

在对所述导电性膜的研磨中，基于所述膜厚信号而确定所述研磨垫的厚度，

确定与所述研磨垫的厚度对应的所述导电性膜的研磨速率，

算出以所述研磨速率对所述导电性膜研磨了规定研磨时间时的预计研磨量，

在所述导电性膜的目标厚度加上所述预计研磨量而算出临时的终点膜厚，

当从所述导电性膜的厚度到达所述临时的终点膜厚的时刻经过了所述规定研磨时间时，结束对所述导电性膜的研磨。

2.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述研磨速率根据研磨速率数据来确定，所述研磨速率数据表示所述研磨垫的厚度和所对应的研磨速率之间的关系。

3.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述膜厚信号，是所述涡电流式膜厚传感器的电路的电阻成分及感抗成分，

所述研磨垫的厚度是根据表示阻抗与所述研磨垫的厚度之间的关系的垫厚度数据而确定的，所述阻抗是根据所述电阻成分及所述感抗成分而算出的。

4.一种研磨方法，其特征在于，

使对研磨垫进行支承的研磨台旋转，

一边将含有磨料的研磨液供给到所述研磨垫，一边将表面形成有导电性膜的基板按压到所述研磨垫上而对所述导电性膜进行研磨，

在对所述导电性膜的研磨中，根据配置在所述研磨台的内部的涡电流式膜厚传感器的输出值获取所述导电性膜的膜厚，

在对所述导电性膜的研磨中，算出所述研磨台每旋转一次的研磨量，

根据所述导电性膜的当前厚度与目标厚度的差值，以及所述研磨量算出增加研磨时间，

通过在获取所述当前厚度的当前研磨时间上加上所述增加研磨时间，从而算出目标研磨时间，

当到达所述目标研磨时间时，结束对所述导电性膜的研磨。