[发明专利]一种半导体基片的预湿方法

权利要求书

1.一种基于硅片贯穿孔的半导体基片的预湿方法，所述基片通过预湿腔进行预湿润处理，其特征在于，包括如下步骤:

步骤一：将待湿润的基片放置于预湿腔内；

步骤二：对所述预湿腔进行抽真空，以达到真空状态；

步骤三：在所述真空状态下，向所述预湿腔内通入可溶性气体，同时监控所述预湿腔内的气压变化；

步骤四：当所述预湿腔内的气压达到一期望阈值区间时，向所述预湿腔内注入填充液；

步骤五：所述可溶性气体溶解于所述填充液，所述填充液沾湿并浸润所述基片；

步骤六：使所述预湿腔恢复至常压状态，完成所述预湿处理。

2.根据权利要求1所述的预湿方法，其特征在于，在所述步骤五和所述步骤六之间，进一步包括：增大所述预湿腔内的气压，以提高所述可溶性气体的溶解度。

3.根据权利要求2所述的预湿方法，其特征在于，通过向所述预湿腔通入难溶性气体的方式或通过机械施压的方式来增大所述预湿腔内的气压。

4.根据权利要求1所述的预湿方法，其特征在于，所述填充液为水或去离子水，且所述填充液以喷淋、雾湿、浸没或浇灌的方式沾湿并浸润所述基片。

5.根据权利要求1所述的预湿方法，其特征在于，所述可溶性气体为在气体标准状态下，在水中的溶解度达到0.1mol/L及以上的气体，所述可溶性气体为稀有气体或二氧化碳。

6.根据权利要求3所述的预湿方法，其特征在于，所述难溶性气体包括氮气、氧气或氢气。

7.根据权利要求1所述的预湿方法，其特征在于，所述真空状态为所述预湿腔内的气压在2torr以下的状态。

8.根据权利要求1所述的预湿方法，其特征在于，所述期望阈值区间的范围为气压在5torr及以上。

9.根据权利要求1所述的预湿方法，其特征在于，所述预湿腔内设置有温度传感器和气压传感器，用于量化感应并传输所述预湿腔提供的工艺环境内的温度数据和气压数据。

10.根据权利要求9所述的预湿方法，其特征在于，所述预湿腔的外部或内部设置有温度控制装置和气压控制装置，所述温度控制装置连接所述温度传感器，对所述预湿腔内的温度进行反馈调节；所述气压控制装置连接所述气压传感器，对所述预湿腔内的气压进行反馈调节；所述反馈调节维持所述填充液在预湿处理过程中处于液相状态，并提高所述可溶性气体的溶解度。