[发明专利]全角度侧壁反射电极的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，包括：衬底、外延层、钝化层、P电极和N电极，其中，所述外延层包括依次形成的N-GaN、量子阱层和P-GaN，所述N-GaN形成在所述衬底上，所述P-GaN和量子阱层的两侧壁设有斜坡，暴露出部分N-GaN，所述钝化层形成在所述斜坡和P-GaN的表面，并设有图案暴露出部分P-GaN，所述N电极形成在所述斜坡处的钝化层及P-GaN表面的钝化层上，并与所述N-GaN相连，所述P电极形成在所述钝化层的表面，并与暴露出的P-GaN相连。

2.如权利要求1所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，还包括一透明导电薄膜，所述透明导电薄膜形成在所述钝化层和P-GaN之间，图案化的钝化层暴露出所述透明导电薄膜。

3.如权利要求2所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，所述P电极包括P焊盘和所述P焊盘相连的P引线，所述P焊盘和P引线均形成在P-GaN表面的钝化层上，并与所述透明导电薄膜相连。

4.如权利要求2所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，所述P电极包括P焊盘和所述P焊盘相连的P引线，所述P焊盘形成在P-GaN表面的钝化层上，所述P引线形成在所述斜坡处的钝化层及P-GaN表面的钝化层上，并与所述透明导电薄膜相连。

5.如权利要求1所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，所述N电极包括N焊盘和所述N焊盘相连的N引线，所述N焊盘形成在P-GaN表面的钝化层上，所述N引线形成在所述斜坡处的钝化层及P-GaN表面的钝化层上，并与所述N-GaN相连。

6.一种全角度侧壁反射电极的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成外延层，所述外延层依次包括N-GaN、量子阱层和P-GaN；

刻蚀所述量子阱层和P-GaN，形成斜坡，所述斜坡暴露出部分N-GaN；

在所述斜坡处及P-GaN的表面形成钝化层，所述钝化层设有图案暴露出部分P-GaN；

在暴露出的P-GaN上形成P电极，在所述斜坡及P-GaN表面的钝化层上形成N电极，所述N电极与暴露的N-GaN相连。

7.如权利要求6所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述钝化层之前，在所述P-GaN的表面形成一层透明导电薄膜，所述透明导电薄膜的材质为ITO、AZO或ZnO。

8.如权利要求7所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用负胶技术形成所述P电极和N电极，所述P电极包括P焊盘和所述P焊盘相连的P引线，所述P焊盘形成在P-GaN表面的钝化层上，所述P引线形成在所述斜坡处的钝化层及P-GaN表面的钝化层上，并与所述透明导电薄膜相连，所述N电极形成在所述斜坡处的钝化层及P-GaN表面的钝化层上，并与所述N-GaN相连。

9.如权利要求7所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用负胶技术形成所述P电极和N电极，所述P电极包括P焊盘和所述P焊盘相连的P引线，所述P焊盘和P引线均形成在P-GaN表面的钝化层上，并与所述透明导电薄膜相连，所述N电极形成在所述斜坡处的钝化层及P-GaN表面的钝化层上，并与所述N-GaN相连。

10.如权利要求6所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用BCl₃、Cl₂或Ar气体在等离子体状态下刻蚀所述量子阱层和P-GaN形成所述斜坡。

11.如权利要求6所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述钝化层的材质为SiO₂、SiN、SiON、Al₂O₃或TiO₂的一种或多种堆叠而成，所述钝化层的图案采用干法刻蚀或湿法刻蚀形成。

12.如权利要求6所述的全角度侧壁反射电极的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述P电极和N电极的材质均为Ag、Al、Rh为主体反射金属搭配Cr、Ni、Pt、Au、W、Ti的一种或多种的有机结合。