[发明专利]无主栅、高效率背接触太阳能电池模块、组件及制备工艺有效
申请号: | 201410508792.3 | 申请日: | 2014-09-28 |
公开(公告)号: | CN104253169A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 林建伟;夏文进;孙玉海;张育政 | 申请(专利权)人: | 苏州中来光伏新材股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/046 | 分类号: | H01L31/046;H01L31/0465;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 215542 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无主 高效率 接触 太阳能电池 模块 组件 制备 工艺 | ||
1.无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括电池片和电连接层,所述电池片的背光面具有与P型掺杂层连接的P电极和与N型掺杂层连接的N电极,其特征在于:所述电连接层包括贯穿孔或贯穿槽、导电线,所述导电线分别设置于电连接层的正面和背面;正面导电线与任一种电极电连接,背面导电线则通过所述贯穿孔或贯穿槽中的导电介质与另一电极电连接,所述电连接层为绝缘材料。
2.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:与一掺杂层电连接的正面导线为两根以上的导电线;与另一掺杂层电连接的贯穿孔或贯穿槽为两排以上的贯穿孔或贯穿槽。
3.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述电连接层上的导电线为弯曲的形状。
4.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述导电线上设置有副栅或者导电粒子,用于收集电子,所述副栅或者导电粒子与电极连接。
5.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述贯穿孔或贯穿槽的背面面积大于贯穿孔或贯穿槽的正面面积,所述电连接层为塑料。
6.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述正面导电线上设有导电凸起,所述导电凸起与所述P电极或者所述N电极电连接。
7.根据权利要求6所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述导电凸起结构的高度为250微米~400微米。
8.根据权利要求6所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述导电凸起的形状选自圆柱体、圆锥体、平行六面体或棱柱中的任一种。
9.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述P电极为点状P电极或者线型P电极,所述N电极为点状N电极或者线型N电极。
10.根据权利要求9所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述点状P电极的直径为0.4mm~1.5mm,所述同一导电线上连接的两个相邻点状P电极之间的距离为0.7mm~10mm,所述线型P电极的宽度为0.4mm~1.5mm;所述点状N电极的直径为0.4mm~1.5mm,所述同一导电线上连接的两个相邻点状N电极之间的距离为0.7mm~10mm,所述线型N电极的宽度为0.4mm~1.5mm。
11.根据权利要求9所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述点状P电极和所述点状N电极的总个数为1000个~40000个。
12.根据权利要求9所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述点状电极或者线型电极为银浆、导电高分子、导电胶或焊锡中的任一种。
13.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:与所述P电极相连的导电线相邻的与所述N电极相连的导电线之间的距离为0.1mm~20mm。
14.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述导电线的材料为铜、铝、钢、铜包铝或铜包钢中的任一种;所述导电线的横截面形状为圆形、方形或椭圆形中的任一种;所述导电线横截面形状的外接圆直径为0.05mm~1.5mm。
15.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述导电线表面镀有低熔点材料或涂覆有导电胶。
16.根据权利要求15所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述低熔点材料为锡、锡铅合金、锡铋合金或锡铅银合金中的任一种或任几种的组合;镀层或导电胶层厚度为5μm~50μm。
17.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述导电线的数量为10根~500根。
18.根据权利要求1所述的无主栅、高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述电连接层设置有P汇流条电极和N汇流条电极,所述P汇流条电极和所述N汇流条电极设置于所述电连接层两侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的