[发明专利]光刻对准标记结构及形成方法、半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种光刻对准标记结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底中形成分别沿第一方向的第一光栅、具有相同光栅常数的第二光栅和第三光栅，和沿第二方向的第四光栅，所述第二方向和第一方向相互垂直；

使用光栅衍射技术，根据所述第一光栅获得沿第一方向的第一对准中心，根据所述第四光栅获得沿第二方向的第二对准中心；

以所述第一对准中心作为光刻过程沿第一方向的对准中心、和以所述第二对准中心作为光刻过程沿第二方向的对准中心，在所述基底上形成沿第一方向的第五光栅和第六光栅，所述第二光栅的刻线与第五光栅的刻线交错排布、且所述第五光栅相对于第二光栅沿第一方向偏移第一距离，所述第三光栅的刻线与第六光栅的刻线交错排布、且所述第六光栅相对于第三光栅沿第一方向的反方向偏移第一距离；

所述第一光栅、第二光栅、第三光栅、第四光栅、第五光栅和第六光栅作为光刻对准标记结构。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一光栅、第二光栅第三光栅和第四光栅时，还在基底中形成沿第二方向的具有相同光栅常数的第七光栅和第八光栅；

在形成所述第五光栅和第六光栅时，还形成沿第二方向的第九光栅和第十光栅，所述第九光栅的刻线与第七光栅的刻线交错排布、且所述第九光栅相对于第七光栅沿第二方向偏移第二距离，所述第十光栅的刻线与第八光栅的刻线交错排布、且所述第十光栅相对于第八光栅沿第二方向的反方向偏移第二距离；

所述光刻对准标记结构还包括所述第七光栅、第八光栅、第九光栅和第十光栅。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一光栅、第二光栅、第三光栅和第四光栅的形成方法为机械刻划、全息光刻、电子束光刻、激光干涉光刻或聚焦离子束光刻。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一距离的范围为1nm～10nm。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一光栅的光栅常数小于第二光栅的光栅常数。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二光栅和第三光栅沿第一方向平行排列，所述第二光栅和第三光栅之间的间距为小于等于100μm。

7.一种光刻对准标记结构，其特征在于，采用权利要求1所述的方法形成，包括：

位于基底中且沿第一方向的第一光栅、具有相同光栅常数的第二光栅和第三光栅，和沿第二方向的第四光栅，所述第二方向垂直于第一方向；

位于所述基底上且沿第一方向的第五光栅，所述第二光栅的刻线与第五光栅的刻线交错排布、且所述第五光栅相对于第二光栅沿第一方向偏移第一距离；

位于所述基底上且沿第一方向的第六光栅，所述第三光栅的刻线与第六光栅的刻线交错排布、且所述第六光栅相对于第三光栅沿第一方向的反方向偏移第一距离；

所述第五光栅相对于第二光栅、所述第六光栅相对于第三光栅还具有沿第一方向的套刻偏移量。

8.如权利要求7所述的光刻对准标记结构，其特征在于，还包括：

位于所述基底上、且沿所述第二方向的具有相同光栅常数的第七光栅和第八光栅；

位于所述基底上且沿第二方向的第九光栅，所述第九光栅的刻线与第七光栅的刻线交错排布、且所述第九光栅相对于所述第七光栅沿第二方向偏移第二距离；

位于所述基底上且沿第二方向的第十光栅，所述第十光栅的刻线与第八光栅的刻线交错排布、且所述第十光栅相对于所述第八光栅沿第二方向的反方向偏移第二距离；

所述第九光栅相对于第七光栅、所述第十光栅相对于第八光栅具有沿第二方向的套刻偏移量。

9.如权利要求7所述的光刻对准标记结构，其特征在于，所述第一光栅的刻线、第二光栅的刻线、第三光栅的刻线、第四光栅的刻线均为划线槽。

10.如权利要求7所述的光刻对准标记结构，其特征在于，所述第一光栅的光栅常数小于第二光栅的光栅常数。

11.如权利要求7所述的光刻对准标记结构，其特征在于，所述第二光栅和第三光栅沿第一方向平行排列，所述第二光栅和第三光栅之间的间距为小于等于100μm。