[发明专利]半导体器件及其操作方法

说明书

一种半导体器件在每个第一间隔将半导体存储器件的逻辑地址和物理地址之间的关系重新映射，该半导体器件可以包括：损耗均衡控制器，该损耗均衡控制器被配置成选择半导体存储器件的第一物理地址以将对应于半导体存储器件的第一物理地址的逻辑地址重新映射至半导体存储器件的第二物理地址，以及调节第一间隔。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年10月14日提交的申请号为10-2013-0121724的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

实施例涉及半导体器件及其操作方法，并且更具体地，涉及被配置成控制半导体存储器件的损耗均衡操作的半导体器件及其操作方法。

背景技术

通常在半导体存储器件(诸如例如NAND快闪存储器件或相变存储器件此类)的单元恶化之前对该单元可以执行有限数量的写入操作。例如，可以在相变存储器件中的单元中执行的写入请求的数量的范围可以是从10⁶至10⁸个写入操作。

当写入操作集中在特定单元区中时，整个存储器件的寿命可能被缩短。通常执行损耗均衡操作以试图将写入操作均匀地分布于半导体存储器件的单元区。

当写入请求被执行时，从主机接收的逻辑地址被映射至物理地址，并且对映射的物理地址执行写入请求。逻辑地址和物理地址之间的映射操作可以以一些不同方式来执行。例如，在映射操作期间，可以通过对逻辑地址和键码(key)数据执行操作来产生物理地址。

发明内容

在一个实施例中，在每个第一间隔重新映射半导体存储器件的逻辑地址和物理地址之间的关系的半导体器件可以包括损耗均衡控制器，损耗均衡控制器被配置成：选择半导体存储器件的第一物理地址以将对应于半导体存储器件的第一物理地址的逻辑地址重新映射至半导体存储器件的第二物理地址，以及调节第一间隔。

在一个实施例中，在每个第一间隔将半导体存储器件的物理地址和逻辑地址之间的关系重新映射的半导体器件可以包括：热/冷确定器，被配置成将半导体存储器件的对应于写入地址的至少一个物理地址的属性定义成热属性和冷属性中之一；寄存器，被配置成：如果至少一个物理地址被确定为热，则储存半导体存储器件的该至少一个物理地址；以及损耗均衡控制器，被配置成：在每个第一间隔处从储存在寄存器中的至少一个物理地址之中选择最热物理地址作为候选物理地址，当候选物理地址已经被重新映射时，通过选择还未重新映射的物理地址中的一个作为候选物理地址来重新映射候选物理地址和逻辑地址之间的关系，以及基于有关候选物理地址是否已被重新映射的判断来调节第一间隔。

在一个实施例中，半导体器件的操作方法可以包括：在写入请求期间将写入操作的数量与第一间隔比较，并且判断是否执行重新映射操作；选择半导体存储器件的第一物理地址以重新映射；将对应于第一物理地址的第一逻辑地址重新映射至半导体存储器件的第二物理地址；向半导体存储器件发出命令以将第一物理地址的数据交换成第二物理地址的数据；以及调节第一间隔。

在一个实施例中，系统可以包括半导体存储器件和控制器，该控制器被配置成：在每个第一间隔顺序地重新映射半导体存储器件的逻辑地址和物理地址之间的关系。控制器可以包括损耗均衡控制器，损耗均衡控制器被配置成选择半导体存储器件的第一物理地址以将对应于第一物理地址的逻辑地址重新映射至半导体存储器件的第二物理地址，以及调节第一间隔。

附图说明

图1是表示包括一个实施例的半导体器件的系统的框图；

图2是表示图1的损耗均衡控制器的框图；

图3是表示图2的危险地址寄存器的框图；

图4是表示图2的状态寄存器的框图；

图5是表示图2的键码选择器的框图；