[发明专利]光学式气体感测装置及其感测系统有效
| 申请号: | 201410504053.7 | 申请日: | 2014-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN105529377B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
| 发明(设计)人: | 张议聪;魏章哲;李岳轩 | 申请(专利权)人: | 张议聪 |
| 主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;G01N21/3504 |
| 代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司44247 | 代理人: | 胡朝阳,孙洁敏 |
| 地址: | 中国台湾台北市士林*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光学 气体 装置 及其 系统 | ||
1.一种光学式气体感测装置,其特征在于,包含:
基板,具有第一表面及第二表面;
反射层,位于所述基板的所述第一表面上;
复数个电极垫,位于所述基板的所述第一表面上且邻接所述反射层;
感测层,藉由所述复数个电极垫连接所述基板,以令所述感测层与所述基板的所述反射层之间形成间隙;
吸收层,位于相对于所述间隙上部的所述感测层上;
第一电极层,位于所述感测层上且邻接所述吸收层;以及
第二电极层,位于所述基板的所述第二表面上。
2.如权利要求1所述的光学式气体感测装置,其特征在于,所述感测层的材料为高电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance,TCR)的热敏材料。
3.如权利要求1所述的光学式气体感测装置,其特征在于,所述吸收层的材料为氮化硅。
4.如权利要求1所述的光学式气体感测装置,其特征在于,所述第一电极层更包含第一金属层及第二金属层。
5.如权利要求4所述的光学式气体感测装置,其特征在于,所述第一金属层及所述第二金属层的材料分别为金(Au)及铬(Cr)。
6.如权利要求1所述的光学式气体感测装置,其特征在于,所述第二电极层更包含第三金属层及第四金属层。
7.如权利要求6所述的光学式气体感测装置,其特征在于,所述第三金属层及所述第四金属层的材料分别为铝(Al)及金(Au)。
8.如权利要求1所述的光学式气体感测装置,其特征在于,所述复数个电极垫的材料为氮化硅。
9.如权利要求1所述的光学式气体感测装置,其特征在于,所述基板的材料为硅或其他半导体材料。
10.一种光学式气体感测系统,其特征在于,包含:
气室,具有提供气体流入的气体入口及提供所述气体流出的气体出口;
光源,位于所述气室的一端,用以提供光线射入所述气室;
光学式气体感测装置,位于所述气室的另一端,用以接收通过所述气室的所述光线,所述光学式气体感测装置依据所接收的所述光线的强度而改变所述光学式气体感测装置的电阻值,其特征在于,所述光学式气体感测装置包含:
基板,具有第一表面及第二表面;
反射层,位于所述基板的所述第一表面上;
复数个电极垫,位于所述基板的所述第一表面上且邻接所述反射层;
感测层,藉由所述复数个电极垫连接所述基板,以令所述感测层与所述基板的所述反射层之间形成间隙;
吸收层,位于相对于所述间隙上部的所述感测层上;
第一电极层,位于所述感测层上且邻接所述吸收层;以及
第二电极层,位于所述基板的所述第二表面上;以及
感测电路,电性连接所述光学式气体感测装置,以依据所述光学式气体感测装置的所述电阻值输出电压值或电流值,进而依据所述电压值或所述电流值得到所述气体的浓度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张议聪,未经张议聪许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410504053.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版
- 下一篇:一种晶硅太阳能电池的正面电极
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





