[发明专利]电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法

说明书

技术领域

各种实施例大体上涉及电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法。

背景技术

在半导体工业中多种工艺可以被用于制造电子器件，诸如集成电路、存储器芯片、传感器等等。此外，可以期望的是使用如在半导体工艺中其被使用的类似的制作技术来开发用于电池（例如薄膜电池）的制作工艺。普遍使用的薄膜沉积技术可以允许在薄膜技术中形成电池或形成可再充电的电池的功能层的制作。典型地，薄膜电池可以包含将以半导体薄膜技术可加工的固态电解质。

发明内容

依据各种实施例，电子结构可以被提供，所述电子结构可包含：半导体载体；和多个薄膜电池，所述薄膜电池与所述半导体载体单片集成。

附图说明

在附图中，相同的参考符号通常指的是贯穿不同视图的相同的部件。附图不必成比例，而通常将重点放在图示本发明的原理上。在下面描述中，参考下面附图描述本发明的各种实施例，在附图中：

图1A到1F以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的电子结构或电池结构；

图2A和2B以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的电池层堆叠；

图3A和3B以示意工艺流程图分别示出依据各种实施例的用于制造电子结构的方法；

图4A到4H以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的在制造期间的电子结构或电池结构；

图5A到5G以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的在制造期间的电子结构或电池结构；

图6A和6B以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的电子结构或电池结构；

图7A到7D以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的在制造期间的电子结构或电池结构；

图8A和8B以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的电子结构或电池结构；并且

图9以示意截面视图或侧视图示出依据各种实施例的电子结构或电池结构。

具体实施方式

下面详细的描述参考附图，所述附图借助于图解示出其中可以实践本发明的特定细节和实施例。

关于“在一侧或表面之上”形成的沉积的材料或“在载体之上”沉积层所使用的词“在…之上”本文中可以被用来意指沉积的材料可以被“直接形成在暗示的侧、表面、或载体上”，例如与暗示的侧、表面、或载体直接接触。关于“在一侧或表面之上”形成的沉积的材料或“在载体之上”沉积层所使用的词“在…之上”本文中可以被用来意指沉积的材料可以“间接形成在暗示的侧、表面、或载体上”，其中一个或多个额外的层被布置在暗示的侧、表面、或载体和沉积的材料之间。

关于结构的（或载体的）“横向的”延伸或被“横向地”移动所使用的术语“横向的”本文中可以被用来意指沿着与载体的表面平行的方向的延伸。那意指载体的表面（例如衬底的表面，或晶片的表面）可以用作参考，其普遍被称为晶片的主加工表面（或另一类型的载体的主加工表面）。进一步地，关于结构的（或例如腔体的结构元件的）“宽度”所使用的术语“宽度”本文中可以被用来意指结构横向的延伸。进一步地，关于结构的（或结构元件的）高度所使用的术语“高度”本文中可以被用来意指结构沿着与载体的表面垂直（例如与载体的主加工表面垂直）的方向的延伸。进一步地，关于腔体的（或孔的）深度所使用的术语“深度”本文中可以被用来意指腔体沿着与载体的表面垂直（例如与载体的主加工表面垂直）的方向的延伸。

关于覆盖结构（或结构元件，或侧壁）的沉积的材料所使用的词“覆盖”本文中可以被用来意指沉积的材料可以完全地覆盖结构（或结构元件，或侧壁），例如覆盖结构所有暴露的侧和表面。关于覆盖结构（或结构元件，或侧壁）的沉积的材料所使用的词“覆盖”本文中可以被用来意指沉积的材料可以至少部分地覆盖结构，例如材料可以至少部分地覆盖结构暴露的侧和表面。

依据各种实施例，如本文中所描述的形成层（例如沉积层，沉积材料，和/或施加成层工艺）也可以包含形成层，其中所述层可以包含各种子层，由此不同子层可以分别包含不同材料。换句话说，各种不同子层可以被包含在层中，或各种不同区可以被包含在沉积的层中和/或在沉积的材料中。