[发明专利]一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片

权利要求书

1.一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，其特征在于所述芯片自下而上依次由硅衬底、复合协变缓冲层、图形化衬底层、n型GaN外延层、InGaN/GaN多量子阱、P型GaN层、透明导电膜及其电极组成。

2.根据权利要求1所述的基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，其特征在于所述图形化衬底层的成分为硅。

3.根据权利要求1或2所述的基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，其特征在于所述图形化衬底层的图形化单元为圆形。

4.根据权利要求3所述的基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，其特征在于所述图形化单元的半径为4～7微米之间，刻蚀厚度为1～3微米之间。

5.根据权利要求1所述的基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，其特征在于所述的复合协变缓冲层为由氮化钛层和氮化铝层交替生长排列的多层结构。

6.根据权利要求5所述的基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，其特征在于所述单层氮化钛层的厚度为单层氮化铝层厚度的3/5。

7.根据权利要求5或6所述的基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，其特征在于所述氮化钛层和氮化铝层的单层厚度在0.2～0.6微米之间。

8.根据权利要求1或5所述的基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，其特征在于所述芯片中含有2～41层复合协变缓冲层。

9.根据权利要求8所述的基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，其特征在于所述复合协变缓冲层的层数为16层。