[发明专利]光掩膜坯料的制造方法在审
| 申请号： | 201410499396.9 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104460224A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 吉井崇;河合义夫;稻月判臣;渡边聪;池田显;桜田豊久;金子英雄 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50;G03F1/54;G03F1/76;H01L21/033 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光掩膜 坯料 制造 方法 | ||
1.一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，
其特征在于，
在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。
2.如权利要求1所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，以高于400℃的温度进行前述热处理。
3.如权利要求1所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，将前述含有硅的无机膜制成进一步含有氧。
4.如权利要求2所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，将前述含有硅的无机膜制成进一步含有氧。
5.如权利要求3所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，将前述含有硅的无机膜制成由硅与氧构成。
6.如权利要求4所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，将前述含有硅的无机膜制成由硅与氧构成。
7.如权利要求1至6中任一项所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，形成含有铬的无机膜，再形成前述含有硅的无机膜。
8.如权利要求7所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述透明基板上，形成含有硅的相移膜，再形成前述含有铬的无机膜。
9.如权利要求1至6中任一项所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，将前述含有硅的无机膜作为硬掩膜。
10.如权利要求7所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，将前述含有硅的无机膜作为硬掩膜。
11.如权利要求8所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，将前述含有硅的无机膜作为硬掩膜。
12.如权利要求1至6中任一项所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。
13.如权利要求7所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。
14.如权利要求8所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。
15.如权利要求9所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。
16.如权利要求10所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。
17.如权利要求11所述的光掩膜坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。
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