[发明专利]一种高紫外透光率的P型欧姆接触层制备方法在审
| 申请号： | 201410499113.0 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104269477A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 宁磊 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 透光率 欧姆 接触 制备 方法 | ||
1.一种高紫外透光率的P型欧姆接触层制备方法，主要包括以下环节：
(1)ITO膜蒸镀
使用真空镀膜机在表面处理后的紫外LED外延片上进行ITO薄膜蒸镀，蒸镀使用材料为质量比In2O3/SnO2＝95:5的高密ITO料，蒸发过程中温度260～290℃，通入的氧气流量为3.0～5.0sccm，薄膜沉积速率小于薄膜蒸发厚度115～155nm；
(2)光刻图形
对ITO膜表面旋涂光刻胶并对其进行曝光，使得曝光显影后光刻胶上均匀分布直径小于2μm的圆柱状通孔，相邻通孔圆心之间的距离小于4μm；100℃下烘烤30min；
(3)ITO图形化
对ITO膜层进行腐蚀处理，然后使用去光阻剂浸泡去除光刻胶，再依次使用ACE(丙酮)及IPA(异丙醇)分别浸泡处理，完成ITO图形化，此时ITO膜表面均匀分布直径小于2μm的圆柱状通孔，相邻通孔圆心之间的距离小于4μm；
(4)欧姆接触退火
氮气保护环境下470～520℃退火15～20min，氮气流量为2L/min；图形化的P型欧姆接触层即制备完成。
2.根据权利要求1所述的高紫外透光率的P型欧姆接触层制备方法，其特征在于：步骤(3)具体是使用ITO蚀刻液在45℃下对ITO膜层腐蚀7min，然后使用去光阻剂80℃下浸泡20min进行光刻胶去除，使用ACE(丙酮)及IPA(异丙醇)分别浸泡10min，图形化完成。
3.根据权利要求2所述的高紫外透光率的P型欧姆接触层制备方法，其特征在于：所述ITO蚀刻液的主要组分及配比为FeCl3：HCl＝1:7。
4.利用权利要求1中所述图形化的P型欧姆接触层加工得到的紫外LED芯片。
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