[发明专利]一种形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法及其基材

权利要求书

1.一种形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法，其特征在于该形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法包含:

提供基材和含硅化合物；

在隔绝空气和温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中裂解该含硅化合物以形成气体组成；

借由氩气传送碳氢化合物的蒸气进入上述温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中，该碳氢化合物的蒸气和上述裂解的含硅化合物所形成的气体组成混合形成反应物；及

在上述温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中,借由气相沉积程序使该反应物形成纳米片状结构网络在该基材之上,该纳米片状结构网络和该基材之间具有共价键结，且上述的纳米片状结构网络是类石墨烯纳米片状结构网络。

2.如权利要求1所述的形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法,其特征在于其中上述的基材包含陶瓷、石英、玻璃、硅晶圆或金属。

3.如权利要求2所述的形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法,其特征在于其中上述的金属包含碳钢、铜、钛或其合金。

4.如权利要求2所述的形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法,其特征在于其中上述的金属的表面具有二氧化硅的涂布层。

5.如权利要求1所述的形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法,其特征在于其中上述的含硅化合物选自下列群组之一或其组合：硅胶、聚二甲基硅烷、有机硅、硅烷接枝高分子、含硅茂金属高分子和甲基三氯硅烷。

6.如权利要求1所述的形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法,其特征在于其中上述的含硅化合物更包含充填物、黄金、卤化铜或茂金属化合物。

7.如权利要求1所述的形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法,其特征在于其中上述的温度在750至950℃之间。

8.如权利要求1所述的形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法,其特征在于其中上述的碳氢化合物包含酮类、醛类、酯类、烷类、烯类或炔类。

9.如权利要求8所述的形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法,其特征在于其中上述的烯类选自下列群组之一或其组合：萘、苯、甲苯、二甲苯和乙烯。

10.如权利要求1所述的形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法,其特征在于其中上述的共价键结是碳化物键结。

11.如权利要求10所述的形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法,其特征在于其中上述的碳化物键结选自下列群组之一或其组合：碳-氧-硅键结、碳-硅键结、碳-氧-金属键结、碳-金属键结、碳-氮键结和碳-氮-金属键结。